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STGWA30HP65FB2 PDF数据手册

STGWA30HP65FB2

产品描述
IGBT 沟槽型场截止 650 V 50 A 167 W 通孔 TO-247 长引线
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小502KB,共15页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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STGWA30HP65FB2概述

STMicroelectronics 系列、开发采用先进 Advanced trench gate fieldstop 结构。该器件是全新 hb 系列的无电阻抗器的一部分、它代表传导和切换损耗之间的最佳平衡、可最大程度地提高任何变频器的效率。

低热阻
非常快的软恢复反并联二极管

STGWA30HP65FB2规格参数

参数名称属性值
类别分立半导体;晶体管
厂商名称ST(意法半导体)
系列HB2
包装管件
IGBT 类型沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)50 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)90 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)2.1V @ 15V,30A
功率 - 最大值167 W
输入类型标准
栅极电荷90 nC
25°C 时 Td(开/关)值-/71ns
测试条件400V,30A,6.8 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)140 ns
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳TO-247-3
供应商器件封装TO-247 长引线
基本产品编号STGWA30

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