型号 |
制造商 |
类别 |
描述 |
文档 |
BSC070N10LS5ATMA1 |
Infineon(英飞凌) |
分立半导体;晶体管 |
表面贴装型 N 通道 100 V 14A(Ta),79A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) PG-TDSON-8-7 |
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BSC146N10LS5ATMA1 |
Infineon(英飞凌) |
分立半导体;晶体管 |
表面贴装型 N 通道 100 V 44A(Tc) 2.5W(Ta),52W(Tc) PG-TDSON-8-6 |
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SIR570DP-T1-RE3 |
Vishay(威世) |
分立半导体;晶体管 |
N沟道增强型MOS管, TrenchFET系列, Vds=150 V, 77.4 A, PowerPak SO-8封装, 表面贴装 |
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MSC025SMA120B |
Microchip(微芯科技) |
分立半导体;晶体管 |
通孔 N 通道 1200 V 103A(Tc) 500W(Tc) TO-247-3 |
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ISC007N04NM6ATMA1 |
Infineon(英飞凌) |
分立半导体;晶体管 |
表面贴装型 N 通道 40 V 48A(Ta),381A(Tc) 3W(Ta),188W(Tc) PG-TDSON-8 FL |
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NXH100B120H3Q0STG |
ON Semiconductor(安森美) |
分立半导体;晶体管 |
IGBT 模块 沟槽型场截止 2 个独立式 1200 V 50 A 186 W 底座安装 22-PIM/Q0BOOST(55x32.5) |
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