| 参数名称 | 属性值 |
| 类别 | 分立半导体;晶体管 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | OptiMOS™ 5 |
| 包装 | 卷带（TR）剪切带（CT） |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Ta），79A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7 毫欧 @ 40A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 49µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2700 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），83W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8-7 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 基本产品编号 | BSC070 |
| 型号 | 制造商 | 类别 | 描述 | 文档 |
|---|---|---|---|---|
| FS950R08A6P2BBPSA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 750 V 950 A 870 W 底座安装 AG-HYBRIDD-1 | 下载 |
| IPG20N06S4L11ATMA2 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 60V 20A（Tc） 65W（Tc） 表面贴装，可润湿侧翼 PG-TDSON-8-10 | 下载 |
| SCTH40N120G2V7AG | ST(意法半导体) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 650 V 33A（Tc） 250W（Tc） H2PAK-7 | 下载 |
| IPB60R055CFD7ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 650 V 38A（Tc） 178W（Tc） PG-TO263-3-2 | 下载 |
| IGLD60R190D1AUMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 600 V 10A（Tc） 62.5W（Tc） PG-LSON-8-1 | 下载 |
| SH8MA2GZETB | ROHM(罗姆半导体) | 分立半导体;晶体管 | MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 4.5A（Ta） 1.4W（Ta） 表面贴装型 8-SOP | 下载 |
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