SCTH40N120G2V7AG PDF数据手册_SCTH40N120G2V7AG 特性/功能/参数/引脚图_ST(意法半导体) 晶体管

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SCTH40N120G2V7AG: 产品描述表面贴装型 N 通道 650 V 33A（Tc） 250W（Tc） H2PAK-7; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小371KB，共14页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

SCTH40N120G2V7AG概述

STMicroelectronics SCTH40N120G2V7AG碳化硅 (SiC) 功率MOSFET采用先进的创新第二代SiC MOSFET技术。该功率MOSFET具有极低的单位面积导通电阻和非常好的开关性能。该SiC功率MOSFET具有高工作结温能力、极低栅极电荷和输入电容。该碳化硅MOSFET包含一个非常快速、结构坚固的内置体二极管，符合AEC-Q101标准。SCTH40N120G2V7AG MOSFET具有1200V漏极-源极电压、105mΩ最大静态漏极-源极导通电阻以及33A漏极电流。典型应用包括充电器、可再生能源系统电源和高频直流-直流转换器。

符合AEC-Q101标准
高工作结温能力
快速、坚固的内置体二极管
极低栅极电荷和输入电容

SCTH40N120G2V7AG规格参数

参数名称	属性值
类别	分立半导体;晶体管
厂商名称	ST(意法半导体)
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	卷带（TR）剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	105毫欧 @ 20A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	63 nC @ 18 V
Vgs（最大值）	+22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1230 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）	250W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	H2PAK-7
封装/外壳	TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
基本产品编号	SCTH40

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