参数名称 | 属性值 |
类别 | 分立半导体;晶体管 |
厂商名称 | ST(意法半导体) |
系列 | Automotive, AEC-Q101 |
包装 | 卷带(TR)剪切带(CT) |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | SiCFET(碳化硅) |
漏源电压(Vdss) | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 33A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 18V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 105毫欧 @ 20A,18V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 63 nC @ 18 V |
Vgs(最大值) | +22V,-10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1230 pF @ 800 V |
功率耗散(最大值) | 250W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | H2PAK-7 |
封装/外壳 | TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA |
基本产品编号 | SCTH40 |
型号 | 制造商 | 类别 | 描述 | 文档 |
---|---|---|---|---|
IGLD60R190D1AUMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 600 V 10A(Tc) 62.5W(Tc) PG-LSON-8-1 | 下载 |
IPW60R045P7XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 通孔 N 通道 650 V 61A(Tc) 201W(Tc) PG-TO247-3-41 | 下载 |
BSZ063N04LS6ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 40 V 15A(Ta),40A(Tc) 2.5W(Ta),38W(Tc) PG-TSDSON-8-FL | 下载 |
IAUC120N04S6N010ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 40 V 150A(Tc) 150W(Tc) PG-TDSON-8-34 | 下载 |
SCTH40N120G2V7AG | ST(意法半导体) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 650 V 33A(Tc) 250W(Tc) H2PAK-7 | 下载 |
C3M0016120K | Wolfspeed (Cree) | 分立半导体;晶体管 | N沟道增强型MOS管 1200 V 115A(Tc) 556W(Tc) TO-247-4L | 下载 |
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