| 参数名称 | 属性值 |
| 类别 | 分立半导体;晶体管 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | CoolMOS™ P7 |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 61A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 毫欧 @ 22.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1.08mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 90 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3891 pF @ 400 V |
| 功率耗散（最大值） | 201W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | PG-TO247-3-41 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 基本产品编号 | IPW60R045 |
| 型号 | 制造商 | 类别 | 描述 | 文档 |
|---|---|---|---|---|
| DMTH4001SPS-13 | Diodes Incorporated | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 100A（Tc） 3.09W（Ta），187.5W（Tc） PowerDI5060-8 | 下载 |
| IPD65R660CFDATMA2 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 700 V 6A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3-313 | 下载 |
| IGLD60R190D1AUMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 600 V 10A（Tc） 62.5W（Tc） PG-LSON-8-1 | 下载 |
| NXH80T120L2Q0P2TG | ON Semiconductor(安森美) | 分立半导体;晶体管 | IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 底座安装 20-PIM/Q0PACK（55x32.5） | 下载 |
| C2M1000170D | Wolfspeed (Cree) | 分立半导体;晶体管 | 通孔 N 通道 1700 V 4.9A（Tc） 69W（Tc） TO-247-3 | 下载 |
| CAS300M17BM2 | Wolfspeed (Cree) | 分立半导体;晶体管 | MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（半桥） 1700V（1.7kV） 325A（Tc） 1760W 底座安装 模块 | 下载 |
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