IPW60R045P7XKSA1 PDF数据手册_IPW60R045P7XKSA1 特性/功能/参数/引脚图_Infineon(英飞凌) 晶体管

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IPW60R045P7XKSA1

IPW60R045P7XKSA1: 产品描述通孔 N 通道 650 V 61A（Tc） 201W（Tc） PG-TO247-3-41; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小1MB，共14页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

IPW60R045P7XKSA1概述

Infineon 600V CoolMOS ™ P7 超结 MOSFET 是 600V CoolMOS ™ P6 系列的后继产品。它继续在设计过程中兼顾对高效率的需求和易用性。杰出 RonxA 和 CoolMOS ™第 7 代平台固有的低栅极电荷 (QG) 可确保其高效率。

ESD 坚固性为≥ 2kV (HBM 2 类)
集成栅极电阻器 RG
坚固的体二极管
广泛的产品组合，采用通孔和表面安装封装
提供标准级和工业级部件

IPW60R045P7XKSA1规格参数

参数名称	属性值
类别	分立半导体;晶体管
厂商名称	Infineon(英飞凌)
系列	CoolMOS™ P7
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	61A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	45 毫欧 @ 22.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 1.08mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	90 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3891 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）	201W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	PG-TO247-3-41
封装/外壳	TO-247-3
基本产品编号	IPW60R045

IPW60R045P7XKSA1 同类产品

型号	制造商	类别	描述	文档
C3M0016120D	Wolfspeed (Cree)	分立半导体;晶体管	通孔 N 通道 1200 V 115A（Tc） 556W（Tc） TO-247-3	下载
SCTH40N120G2V7AG	ST(意法半导体)	分立半导体;晶体管	表面贴装型 N 通道 650 V 33A（Tc） 250W（Tc） H2PAK-7	下载
IAUS300N08S5N011TATMA1	Infineon(英飞凌)	分立半导体;晶体管	表面贴装型 N 通道 80 V 300A（Tj） 375W（Tc） PG-HDSOP-16-2	下载
IPB60R090CFD7ATMA1	Infineon(英飞凌)	分立半导体;晶体管	N沟道增强型MOS管, IPB60R系列, Vds=600 V, 25 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装	下载
IPD65R660CFDATMA2	Infineon(英飞凌)	分立半导体;晶体管	表面贴装型 N 通道 700 V 6A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3-313	下载
F3L11MR12W2M1B74BOMA1	Infineon(英飞凌)	分立半导体;晶体管	IGBT 模块沟槽型场截止三级反相器 1200 V 100 A 20 mW 底座安装 AG-EASY2B-2	下载

最新晶体管型号： STF16N90K5 IPLK70R750P7ATMA1 C3M0021120D C3M0075120J IPP60R160P7XKSA1 IAUC100N08S5N031ATMA1 C3M0030090K CAB011M12FM3 IPB60R045P7ATMA1 PMV50XNEAR

热门器件

热搜器件

论坛更多

下载中心更多

文章更多

视频更多