电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
CAS300M17BM2 PDF数据手册

CAS300M17BM2

产品描述
MOSFET - 阵列 2 个 N 通道(半桥) 1700V(1.7kV) 325A(Tc) 1760W 底座安装 模块
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小2MB,共9页
制造商Wolfspeed (Cree)
下载文档 详细参数 全文预览

CAS300M17BM2概述

Wolfspeed(Cree Inc. 能源动力公司)碳化硅功率 MOSFET 模块。这些 SiC MOSFET 模块采用工业标准封装且提供半桥 (2 MOSFET) 和 3 相 (6 MOSFET) 格式;它们还包括 SiC 反向恢复二极管。 典型应用包括:感应加热、太阳能和风力反相器、直流 - 直流转换器、3 相 PFC、线路再生驱动器、UPS 和 SMPS、电动机驱动器和电池充电器。

MOSFET 断开尾线电流和二极管反向恢复电流为有效零。
超低损耗高频操作
因 SiC 特性而易于并联
常闭,故障安全操作
铜基板和氮化铝绝缘体,可降低热要求

CAS300M17BM2规格参数

参数名称属性值
类别分立半导体;晶体管
厂商名称Wolfspeed (Cree)
系列Z-Rec®
包装
技术碳化硅(SiC)
配置2 个 N 通道(半桥)
漏源电压(Vdss)1700V(1.7kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)325A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)10 毫欧 @ 225A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 15mA(标准)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)1076nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)20000pF @ 1000V
功率 - 最大值1760W
工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型底座安装
封装/外壳模块
供应商器件封装模块
基本产品编号CAS300

CAS300M17BM2 同类产品

型号 制造商 类别 描述 文档
SH8K25GZ0TB ROHM(罗姆半导体) 分立半导体;晶体管 MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 40V 5.2A(Ta) 2W(Ta) 表面贴装型 8-SOP 下载
RQ5P010SNTL ROHM(罗姆半导体) 分立半导体;晶体管 N沟道增强型MOS管, RSR010N10系列, Vds=100 V, 1 A, SOT-346封装, 表面贴装 下载
RGCL60TS60DGC11 ROHM(罗姆半导体) 分立半导体;晶体管 IGBT 沟槽型场截止 600 V 48 A 111 W 通孔 TO-247N 下载
C2M0025120D Wolfspeed (Cree) 分立半导体;晶体管 通孔 N 通道 1200 V 90A(Tc) 463W(Tc) TO-247-3 下载
ISC010N04NM6ATMA1 Infineon(英飞凌) 分立半导体;晶体管 表面贴装型 N 通道 40 V 40A(Ta),285A(Tc) 3W(Ta),150W(Tc) PG-TDSON-8 FL 下载
SCTH40N120G2V7AG ST(意法半导体) 分立半导体;晶体管 表面贴装型 N 通道 650 V 33A(Tc) 250W(Tc) H2PAK-7 下载

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2023 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved