| 参数名称 | 属性值 |
| 类别 | 分立半导体;晶体管 |
| 厂商名称 | Microchip(微芯科技) |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 103A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 20V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 31 毫欧 @ 40A，20V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 232 nC @ 20 V |
| Vgs（最大值） | +25V，-10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3020 pF @ 1000 V |
| 功率耗散（最大值） | 500W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 基本产品编号 | MSC025 |
| 型号 | 制造商 | 类别 | 描述 | 文档 |
|---|---|---|---|---|
| NXH80T120L2Q0P2TG | ON Semiconductor(安森美) | 分立半导体;晶体管 | IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 底座安装 20-PIM/Q0PACK（55x32.5） | 下载 |
| BSC146N10LS5ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 100 V 44A（Tc） 2.5W（Ta），52W（Tc） PG-TDSON-8-6 | 下载 |
| BSZ063N04LS6ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 40 V 15A（Ta），40A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） PG-TSDSON-8-FL | 下载 |
| IPT026N10N5ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 100 V 27A（Ta），202A（Tc） 214W（Tc） PG-HSOF-8-1 | 下载 |
| BSC072N04LDATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 40V 20A（Tc） 65W（Tc） 表面贴装型 PG-TDSON-8-4 | 下载 |
| C3M0021120D | Wolfspeed (Cree) | 分立半导体;晶体管 | 通孔 N 通道 1200 V 100A（Tc） 469W（Tc） TO-247-3 | 下载 |
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