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C3M0065100K PDF数据手册

C3M0065100K

产品描述
通孔 N 通道 1000 V 35A(Tc) 113.5W(Tc) TO-247-4L
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小968KB,共11页
制造商Wolfspeed (Cree)
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C3M0065100K概述

新 C3M 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术
在整个工作温度范围内,漏-源击穿电压最小为 1000 V
新低阻抗封装,带驱动器源
漏极与源极之间 8 mm 漏电/间隙
高速切换,具有低输出电容
高阻塞电压,带低漏-源通态电阻
可耐受雪崩
快速固有二极管,带低反向恢复

C3M0065100K规格参数

参数名称属性值
类别分立半导体;晶体管
厂商名称Wolfspeed (Cree)
系列C3M™
包装管件
FET 类型N 通道
技术SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)35A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)78 毫欧 @ 20A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)35 nC @ 15 V
Vgs(最大值)+19V,-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)660 pF @ 600 V
功率耗散(最大值)113.5W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装TO-247-4L
封装/外壳TO-247-4
基本产品编号C3M0065100

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