| 参数名称 | 属性值 |
| 类别 | 分立半导体;晶体管 |
| 厂商名称 | ROHM(罗姆半导体) |
| 包装 | 散装 |
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 65 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 160 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 1.8V @ 15V，40A |
| 功率 - 最大值 | 148 W |
| 开关能量 | 1.11mJ（开），1.68mJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 98 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 53ns/227ns |
| 测试条件 | 400V，40A，10 欧姆，15V |
| 工作温度 | -40°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247N |
| 基本产品编号 | RGCL80 |
| 型号 | 制造商 | 类别 | 描述 | 文档 |
|---|---|---|---|---|
| UT6MA2TCR | ROHM(罗姆半导体) | 分立半导体;晶体管 | MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 4A（Ta） 2W（Ta） 表面贴装型 HUML2020L8 | 下载 |
| BUK9V13-40HX | Nexperia | 分立半导体;晶体管 | MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（半桥） 40V 42A（Ta） 46W（Ta） 表面贴装型 LFPAK56D | 下载 |
| BSZ018N04LS6ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 40 V 27A（Ta），40A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TSDSON-8-FL | 下载 |
| SH8MA2GZETB | ROHM(罗姆半导体) | 分立半导体;晶体管 | MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 4.5A（Ta） 1.4W（Ta） 表面贴装型 8-SOP | 下载 |
| AIKW50N65RF5XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 250 W 通孔 PG-TO247-3 | 下载 |
| IPLK70R600P7ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 700 V - - PG-TDSON-8 | 下载 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2023 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
