C3M0280090D PDF数据手册_C3M0280090D 特性/功能/参数/引脚图_Wolfspeed (Cree) 晶体管

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C3M0280090D: 产品描述通孔 N 通道 900 V 11.5A（Tc） 54W（Tc） TO-247-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小888KB，共10页; 制造商Wolfspeed (Cree)

C3M0280090D概述

Wolfspeed Z-Fet™，C2M™和C3M™碳化硅功率MOSFET。Cree功率分部Wolfspeed的一系列第二代 SiC MOSFET，可提供行业领先的功率密度和切换效率。这些低电容设备可实现更高的切换频率，并降低了散热要求，从而提高了整体系统工作效率。

增强模式N通道SiC技术
高漏源击穿电压-高达1200V
多个设备易于并行且易于驱动
高速开关，导通电阻低
防闩锁操作

C3M0280090D规格参数

参数名称	属性值
类别	分立半导体;晶体管
厂商名称	Wolfspeed (Cree)
系列	C3M™
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）	900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	11.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	360 毫欧 @ 7.5A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.5V @ 1.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	9.5 nC @ 15 V
Vgs（最大值）	+18V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	150 pF @ 600 V
功率耗散（最大值）	54W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-247-3
封装/外壳	TO-247-3
基本产品编号	C3M0280090

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