| 参数名称 | 属性值 |
| 类别 | 分立半导体;晶体管 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | OptiMOS™-5 |
| 包装 | 卷带（TR） |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 165A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.9 毫欧 @ 80A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.8V @ 108µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 90 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6370 pF @ 40 V |
| 功率耗散（最大值） | 167W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-HSOF-8-1 |
| 封装/外壳 | 8-PowerSFN |
| 基本产品编号 | IAUT165 |
| 型号 | 制造商 | 类别 | 描述 | 文档 |
|---|---|---|---|---|
| SCTW35N65G2VAG | ST(意法半导体) | 分立半导体;晶体管 | N沟道耗尽型MOSFET模块 650 V 45A（Tc） 240W（Tc） HiP247™ | 下载 |
| SIS178LDN-T1-GE3 | Vishay(威世) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 13.9A（Ta），45.3A（Tc） 3.6W（Ta），39W（Tc） PowerPAK® 1212-8 | 下载 |
| C2M0025120D | Wolfspeed (Cree) | 分立半导体;晶体管 | 通孔 N 通道 1200 V 90A（Tc） 463W（Tc） TO-247-3 | 下载 |
| DMTH69M8LFVW-13 | Diodes Incorporated | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 28ns/198ns LMR-1700 PowerDI3333-8（SWP）UX 类 | 下载 |
| SIR570DP-T1-RE3 | Vishay(威世) | 分立半导体;晶体管 | N沟道增强型MOS管, TrenchFET系列, Vds=150 V, 77.4 A, PowerPak SO-8封装, 表面贴装 | 下载 |
| RV1S2285ACCSP-10YV#SC0 | Renesas(瑞萨电子) | 分立半导体;晶体管 | 光隔离器 晶体管 输出 5000Vrms 1 通道 4-LSSOP | 下载 |
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