IPB60R055CFD7ATMA1 PDF数据手册_IPB60R055CFD7ATMA1 特性/功能/参数/引脚图_Infineon(英飞凌) 晶体管

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IPB60R055CFD7ATMA1: 产品描述表面贴装型 N 通道 650 V 38A（Tc） 178W（Tc） PG-TO263-3-2; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小1MB，共14页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

IPB60R055CFD7ATMA1概述

Infineon 600V coolmos ™ CFD7 superjunction mosfet IPB60R055CFD7 采用 D2PAK 封装，特别适用于高功率开关电源中的谐振拓扑，例如服务器、电信和 ev 充电站，在那里可以显著提高效率。作为 CFD2 sj mosfet 系列的后续产品、它与竞争对手相比、具有更低的栅极电荷、更好的关闭行为和高达 69% 的反向恢复电荷。

超快主体二极管
同类杰出的反向恢复充电（ qrr ）
改进了反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 坚固性
最低 fom rds （接通） x qg 和 eoss
同类杰出的 rds （接通） / 封装

IPB60R055CFD7ATMA1规格参数

参数名称	属性值
类别	分立半导体;晶体管
厂商名称	Infineon(英飞凌)
系列	CoolMOS™ CFD7
包装	卷带（TR）剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	38A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	55 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.5V @ 900µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	79 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3194 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）	178W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TO263-3-2
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号	IPB60R055

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