IPA60R160P7XKSA1 PDF数据手册_IPA60R160P7XKSA1 特性/功能/参数/引脚图_Infineon(英飞凌) 晶体管

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IPA60R160P7XKSA1: 产品描述通孔 N 通道 600 V 20A（Tc） 26W（Tc） PG-TO220 整包; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小1MB，共14页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

IPA60R160P7XKSA1概述

Infineon 600V coolmos ™ P7 超结 mosfet 是 600V coolmos ™ P6 系列的后继产品。它继续在设计过程中兼顾对高效率的需求与易用性。杰出的 ronxa 和 coolmos ™ 7th 系列平台固有的低栅极电荷 (qg) 确保了其高效率。

≥ 2kV 的 esd 坚固性（ hbm 2 类）
集成栅极电阻器电阻器
坚固的体二极管
广泛的产品组合、采用通孔和表面安装封装
提供标准级和工业级部件

IPA60R160P7XKSA1规格参数

参数名称	属性值
类别	分立半导体;晶体管
厂商名称	Infineon(英飞凌)
系列	CoolMOS™ P7
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	160毫欧 @ 6.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 350µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	31 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1317 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）	26W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	PG-TO220 整包
封装/外壳	TO-220-3 整包
基本产品编号	IPA60R

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