| 参数名称 | 属性值 |
| 类别 | 分立半导体;晶体管 |
| 厂商名称 | Nexperia |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR）剪切带（CT） |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 配置 | 2 个 N 通道（半桥） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 98A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.2 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.6V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 37nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2590pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 85W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-1205，8-LFPAK56 |
| 供应商器件封装 | LFPAK56D |
| 基本产品编号 | BUK7V4 |
| 型号 | 制造商 | 类别 | 描述 | 文档 |
|---|---|---|---|---|
| BSC037N08NS5TATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 80 V 22A（Ta），100A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） PG-TDSON-8-7 | 下载 |
| IPB60R090CFD7ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | N沟道增强型MOS管, IPB60R系列, Vds=600 V, 25 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装 | 下载 |
| MSC025SMA120B | Microchip(微芯科技) | 分立半导体;晶体管 | 通孔 N 通道 1200 V 103A（Tc） 500W（Tc） TO-247-3 | 下载 |
| CAS300M17BM2 | Wolfspeed (Cree) | 分立半导体;晶体管 | MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（半桥） 1700V（1.7kV） 325A（Tc） 1760W 底座安装 模块 | 下载 |
| C2M1000170D | Wolfspeed (Cree) | 分立半导体;晶体管 | 通孔 N 通道 1700 V 4.9A（Tc） 69W（Tc） TO-247-3 | 下载 |
| C3M0016120K | Wolfspeed (Cree) | 分立半导体;晶体管 | N沟道增强型MOS管 1200 V 115A（Tc） 556W（Tc） TO-247-4L | 下载 |
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