| 参数名称 | 属性值 |
| 类别 | 分立半导体;晶体管 |
| 厂商名称 | Nexperia |
| 包装 | 卷带（TR）剪切带（CT） |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 配置 | 2 个 N 通道（半桥） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 42A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 13.6 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19.4nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1160pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 46W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-1205，8-LFPAK56 |
| 供应商器件封装 | LFPAK56D |
| 基本产品编号 | PSMN013 |
| 型号 | 制造商 | 类别 | 描述 | 文档 |
|---|---|---|---|---|
| BSC112N06LDATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 60V 20A（Tc） 65W（Tc） 表面贴装型 PG-TDSON-8-4 | 下载 |
| IPT026N10N5ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 100 V 27A（Ta），202A（Tc） 214W（Tc） PG-HSOF-8-1 | 下载 |
| BSZ039N06NSATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 60 V 18A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL | 下载 |
| IPA040N06NM5SXKSA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 通孔 N 通道 60 V 72A（Tc） 36W（Tc） PG-TO220 整包 | 下载 |
| F3L11MR12W2M1B74BOMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 1200 V 100 A 20 mW 底座安装 AG-EASY2B-2 | 下载 |
| CAB450M12XM3 | Wolfspeed (Cree) | 分立半导体;晶体管 | MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 450A 850W 底座安装 模块 | 下载 |
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