参数名称 | 属性值 |
类别 | 分立半导体;晶体管 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
系列 | OptiMOS™ |
包装 | 卷带(TR)剪切带(CT) |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A(Ta),40A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3.9 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.3V @ 36µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 34 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2500 pF @ 30 V |
功率耗散(最大值) | 2.1W(Ta),69W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PG-TSDSON-8-FL |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
基本产品编号 | BSZ039 |
型号 | 制造商 | 类别 | 描述 | 文档 |
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C3M0065100K | Wolfspeed (Cree) | 分立半导体;晶体管 | 通孔 N 通道 1000 V 35A(Tc) 113.5W(Tc) TO-247-4L | 下载 |
SQJA36EP-T1_GE3 | Vishay(威世) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 40 V 350A(Tc) 500W(Tc) PowerPAK® SO-8 双 | 下载 |
CAB011M12FM3 | Wolfspeed (Cree) | 分立半导体;晶体管 | MOSFET - 阵列 2 个 N 通道(半桥) 1200V(1.2kV) 105A 10mW 底座安装 - | 下载 |
C3M0021120D | Wolfspeed (Cree) | 分立半导体;晶体管 | 通孔 N 通道 1200 V 100A(Tc) 469W(Tc) TO-247-3 | 下载 |
BSC025N08LS5ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 80 V 100A(Tc) 2.5W(Ta),156W(Tc) PG-TDSON-8-7 | 下载 |
C3M0032120D | Wolfspeed (Cree) | 分立半导体;晶体管 | 通孔 N 通道 1200 V 63A(Tc) 283W(Tc) TO-247-3 | 下载 |
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