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BSZ039N06NSATMA1 PDF数据手册

BSZ039N06NSATMA1

产品描述
表面贴装型 N 通道 60 V 18A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
下载文档 详细参数 全文预览

BSZ039N06NSATMA1概述

英飞凌 OptiMOS 功率晶体管是 N 沟道 MOSFET,完全符合 JEDEC 工业应用标准。扩展的源互连保证它具有更高的焊接接头可靠性。

经优化,适合高性能 SMPS
卓越的热阻

BSZ039N06NSATMA1规格参数

参数名称属性值
类别分立半导体;晶体管
厂商名称Infineon(英飞凌)
系列OptiMOS™
包装卷带(TR)剪切带(CT)
FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)18A(Ta),40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.9 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.3V @ 36µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)34 nC @ 10 V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2500 pF @ 30 V
功率耗散(最大值)2.1W(Ta),69W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-TSDSON-8-FL
封装/外壳8-PowerTDFN
基本产品编号BSZ039

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