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SH8MA2GZETB PDF数据手册

SH8MA2GZETB

产品描述
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 4.5A(Ta) 1.4W(Ta) 表面贴装型 8-SOP
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小2MB,共22页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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SH8MA2GZETB概述

SH8MA2 是具有低接通电阻的功率 MOSFET,适用于开关应用。

- 低接通电阻
- 小型表面安装封装 (SOP8)
- 无铅引线电镀
- 无卤素

SH8MA2GZETB规格参数

参数名称属性值
类别分立半导体;晶体管
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装卷带(TR)剪切带(CT)
技术MOSFET(金属氧化物)
配置N 和 P 沟道
漏源电压(Vdss)30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.5A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)80mOhm @ 4.5A,10V,82mOhm @ 4.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)3nC @ 4.5V,6.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)125pF @ 15V,305pF @ 15V
功率 - 最大值1.4W(Ta)
工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装型
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOP
基本产品编号SH8MA2

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