| 参数名称 | 属性值 |
| 类别 | 分立半导体;晶体管 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | OptiMOS™-5 |
| 包装 | 卷带（TR）剪切带（CT） |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 180A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 7V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2毫欧 @ 90A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.4V @ 70µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 100 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6158 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-HSOF-5-1 |
| 封装/外壳 | 5-PowerSFN |
| 基本产品编号 | IAUA180 |
| 型号 | 制造商 | 类别 | 描述 | 文档 |
|---|---|---|---|---|
| IPT020N10N5ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 100 V 31A（Ta），260A（Tc） 273W（Tc） PG-HSOF-8-1 | 下载 |
| CCB021M12FM3 | Wolfspeed (Cree) | 分立半导体;晶体管 | MOSFET - 阵列 6 N-沟道（3 相桥） 1200V（1.2kV） 51A 10mW 底座安装 - | 下载 |
| ISC010N04NM6ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 40 V 40A（Ta），285A（Tc） 3W（Ta），150W（Tc） PG-TDSON-8 FL | 下载 |
| BSZ037N06LS5ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 60 V 18A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL | 下载 |
| IPB60R055CFD7ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 650 V 38A（Tc） 178W（Tc） PG-TO263-3-2 | 下载 |
| C3M0075120J-TR | Wolfspeed (Cree) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 1200 V 30A（Tc） 113.6W（Tc） TO-263-7 | 下载 |
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