F423MR12W1M1B11BOMA1 PDF数据手册_F423MR12W1M1B11BOMA1 特性/功能/参数/引脚图_Infineon(英飞凌) 晶体管 - 电子工程世界Datasheet

电子工程世界电子工程世界

Datasheet

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> F423MR12W1M1B11BOMA1

F423MR12W1M1B11BOMA1 PDF数据手册

F423MR12W1M1B11BOMA1: 产品描述IGBT 模块沟道全桥 1200 V 50 A 0.2 W 底座安装 AG-EASY1BM-2; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小500KB，共7页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

下载文档详细参数全文预览

F423MR12W1M1B11BOMA1概述

Infineon 1200V MOSFET 模块使用高电流密度和低电感设计。

集成 NTC 温度传感器
压配触点技术

F423MR12W1M1B11BOMA1规格参数

参数名称	属性值
类别	分立半导体;晶体管
厂商名称	Infineon(英飞凌)
系列	EasyPACK™
包装	托盘
IGBT 类型	沟道
配置	全桥
电压 - 集射极击穿（最大值）	1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	50 A
功率 - 最大值	20 mW
不同 Vce 时输入电容 (Cies)	3.68 nF @ 800 V
输入	标准
NTC 热敏电阻	是
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	底座安装
封装/外壳	模块
供应商器件封装	AG-EASY1BM-2
基本产品编号	F423MR12

F423MR12W1M1B11BOMA1 同类产品

型号	制造商	类别	描述	文档
VT6T2T2R	ROHM(罗姆半导体)	分立半导体;晶体管	PNP双极晶体管, VT6T2封装, 最大直流集电极电流100 A, 最大集电极-发射电压-50 V, 贴片安装, 6引脚	下载
BUK9V13-40HX	Nexperia	分立半导体;晶体管	MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（半桥） 40V 42A（Ta） 46W（Ta）表面贴装型 LFPAK56D	下载
C3M0065100J-TR	Wolfspeed (Cree)	分立半导体;晶体管	表面贴装型 N 通道 1000 V 35A（Tc） 113.5W（Tc） TO-263-7	下载
UT6MA2TCR	ROHM(罗姆半导体)	分立半导体;晶体管	MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 4A（Ta） 2W（Ta）表面贴装型 HUML2020L8	下载
CAS300M17BM2	Wolfspeed (Cree)	分立半导体;晶体管	MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（半桥） 1700V（1.7kV） 325A（Tc） 1760W 底座安装模块	下载
SCTW35N65G2VAG	ST(意法半导体)	分立半导体;晶体管	N沟道耗尽型MOSFET模块 650 V 45A（Tc） 240W（Tc） HiP247™	下载

最新晶体管型号： IAUS300N08S5N011TATMA1 SIHH080N60E-T1-GE3 STGWA30HP65FB2 IAUC120N04S6N010ATMA1 FS380R12A6T4BBPSA1 BUK7V4R2-40HX IAUS300N08S5N014TATMA1 BSC037N08NS5TATMA1 IPT026N10N5ATMA1 IPB60R070CFD7ATMA1

热门器件

热搜器件

论坛更多

下载中心更多

文章更多

视频更多

EEWorld订阅号

EEWorld服务号

汽车开发圈

About Us 关于我们客户服务联系方式器件索引网站地图最新更新手机版

站点相关：国产芯大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室电话:(010)82350740 邮编：100190

电子工程世界版权所有京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2023 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved