| 参数名称 | 属性值 |
| 类别 | 分立半导体;晶体管 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | OptiMOS™5 |
| 包装 | 卷带（TR）剪切带（CT） |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 27A（Ta），202A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.6毫欧 @ 150A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.8V @ 158µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 120 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 8800 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 214W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-HSOF-8-1 |
| 封装/外壳 | 8-PowerSFN |
| 基本产品编号 | IPT026 |
| 型号 | 制造商 | 类别 | 描述 | 文档 |
|---|---|---|---|---|
| C2M1000170D | Wolfspeed (Cree) | 分立半导体;晶体管 | 通孔 N 通道 1700 V 4.9A（Tc） 69W（Tc） TO-247-3 | 下载 |
| IAUC120N04S6L009ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 40 V 150A（Tc） 150W（Tc） PG-TDSON-8-34 | 下载 |
| BSC072N04LDATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 40V 20A（Tc） 65W（Tc） 表面贴装型 PG-TDSON-8-4 | 下载 |
| IPT020N10N5ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 100 V 31A（Ta），260A（Tc） 273W（Tc） PG-HSOF-8-1 | 下载 |
| C3M0030090K | Wolfspeed (Cree) | 分立半导体;晶体管 | 通孔 N 通道 900 V 63A（Tc） 149W（Tc） TO-247-4L | 下载 |
| RD3G500GNTL | ROHM(罗姆半导体) | 分立半导体;晶体管 | N沟道增强型MOS管, RD3G500GN系列, Vds=40 V, 50 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装 | 下载 |
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