参数名称 | 属性值 |
类别 | 分立半导体;晶体管 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
系列 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 |
包装 | 卷带(TR)剪切带(CT) |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 80 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3.1 毫欧 @ 50A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.8V @ 95µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 76 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 5525 pF @ 40 V |
功率耗散(最大值) | 167W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PG-TDSON-8-34 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
基本产品编号 | IAUC100 |
型号 | 制造商 | 类别 | 描述 | 文档 |
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QH8K51TR | ROHM(罗姆半导体) | 分立半导体;晶体管 | MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 100V 2A(Ta) 1.1W(Ta) 表面贴装型 TSMT8 | 下载 |
IAUC100N08S5N031ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 80 V 100A(Tc) 167W(Tc) PG-TDSON-8-34 | 下载 |
HP8K24TB | ROHM(罗姆半导体) | 分立半导体;晶体管 | MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V 15A(Ta),27A(Tc),26A(Ta),80A(Tc) 3W(Ta) 表面贴装型 8-HSOP | 下载 |
BUK9V13-40HX | Nexperia | 分立半导体;晶体管 | MOSFET - 阵列 2 个 N 通道(半桥) 40V 42A(Ta) 46W(Ta) 表面贴装型 LFPAK56D | 下载 |
ISC007N04NM6ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 40 V 48A(Ta),381A(Tc) 3W(Ta),188W(Tc) PG-TDSON-8 FL | 下载 |
BSZ063N04LS6ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 40 V 15A(Ta),40A(Tc) 2.5W(Ta),38W(Tc) PG-TSDSON-8-FL | 下载 |
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