| 参数名称 | 属性值 |
| 类别 | 分立半导体;晶体管 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | CoolMOS™ P7 |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 160毫欧 @ 6.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 350µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 31 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1317 pF @ 400 V |
| 功率耗散（最大值） | 81W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3-1 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 基本产品编号 | IPP60R160 |
| 型号 | 制造商 | 类别 | 描述 | 文档 |
|---|---|---|---|---|
| BSC034N10LS5ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 100 V 19A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），156W（Tc） PG-TDSON-8-7 | 下载 |
| IPLK70R1K2P7ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 700 V - - PG-TDSON-8 | 下载 |
| SIHH080N60E-T1-GE3 | Vishay(威世) | 分立半导体;晶体管 | N沟道增强型MOS管, E Series系列, Vds=650 V, 32 A, PowerPAK 8 x 8封装, 表面贴装 | 下载 |
| CAB450M12XM3 | Wolfspeed (Cree) | 分立半导体;晶体管 | MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 450A 850W 底座安装 模块 | 下载 |
| QH8K51TR | ROHM(罗姆半导体) | 分立半导体;晶体管 | MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 100V 2A（Ta） 1.1W（Ta） 表面贴装型 TSMT8 | 下载 |
| IPT020N10N5ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 100 V 31A（Ta），260A（Tc） 273W（Tc） PG-HSOF-8-1 | 下载 |
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