| 参数名称 | 属性值 |
| 类别 | 分立半导体;晶体管 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | OptiMOS™-5 |
| 包装 | 卷带（TR）剪切带（CT） |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 24A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 30 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 12µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 11 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 670 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 38W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8-33 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 基本产品编号 | IAUC24 |
| 型号 | 制造商 | 类别 | 描述 | 文档 |
|---|---|---|---|---|
| F3L11MR12W2M1B74BOMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 1200 V 100 A 20 mW 底座安装 AG-EASY2B-2 | 下载 |
| IPB60R045P7ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 600 V 61A（Tc） 201W（Tc） PG-TO263-3-2 | 下载 |
| RGCL80TS60DGC11 | ROHM(罗姆半导体) | 分立半导体;晶体管 | IGBT 沟槽型场截止 600 V 65 A 148 W 通孔 TO-247N | 下载 |
| MSC025SMA120B | Microchip(微芯科技) | 分立半导体;晶体管 | 通孔 N 通道 1200 V 103A（Tc） 500W（Tc） TO-247-3 | 下载 |
| ISC010N04NM6ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 40 V 40A（Ta），285A（Tc） 3W（Ta），150W（Tc） PG-TDSON-8 FL | 下载 |
| SIS178LDN-T1-GE3 | Vishay(威世) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 13.9A（Ta），45.3A（Tc） 3.6W（Ta），39W（Tc） PowerPAK® 1212-8 | 下载 |
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