| 参数名称 | 属性值 |
| 类别 | 分立半导体;晶体管 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | OptiMOS™-T2 |
| 包装 | 卷带（TR）剪切带（CT） |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 配置 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.2 毫欧 @ 17A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 30µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 52nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3990pF @ 20V |
| 功率 - 最大值 | 65W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8-4 |
| 基本产品编号 | BSC072 |
| 型号 | 制造商 | 类别 | 描述 | 文档 |
|---|---|---|---|---|
| BSC096N10LS5ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 100 V 40A（Tc） 3W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8-6 | 下载 |
| BSZ010NE2LS5ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 25 V 32A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL | 下载 |
| NXH80T120L2Q0P2TG | ON Semiconductor(安森美) | 分立半导体;晶体管 | IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 底座安装 20-PIM/Q0PACK（55x32.5） | 下载 |
| IPB60R070CFD7ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 650 V 31A（Tc） 156W（Tc） PG-TO263-3-2 | 下载 |
| EM6K7T2CR | ROHM(罗姆半导体) | 分立半导体;晶体管 | MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 20V 200mA（Ta） 150mW 表面贴装型 EMT6 | 下载 |
| DMTH69M8LFVW-7 | Diodes Incorporated | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装，可润湿侧翼 N 通道 60 V 28ns/198ns LMR-1700 PowerDI3333-8（SWP）UX 类 | 下载 |
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