| 参数名称 | 属性值 |
| 类别 | 分立半导体;晶体管 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | OptiMOS™ 5 |
| 包装 | 卷带（TR）剪切带（CT） |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.6 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 36µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14.6 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2100 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 3W（Ta），83W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8-6 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 基本产品编号 | BSC096 |
| 型号 | 制造商 | 类别 | 描述 | 文档 |
|---|---|---|---|---|
| IPLK70R600P7ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 700 V - - PG-TDSON-8 | 下载 |
| IPT019N08N5ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 80 V 32A（Ta），247A（Tc） 231W（Tc） PG-HSOF-8-1 | 下载 |
| F3L11MR12W2M1B74BOMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 1200 V 100 A 20 mW 底座安装 AG-EASY2B-2 | 下载 |
| STW70N65DM6-4 | ST(意法半导体) | 分立半导体;晶体管 | 通孔 N 通道 650 V 68A（Tc） 450W（Tc） TO-247-4 | 下载 |
| CAS300M17BM2 | Wolfspeed (Cree) | 分立半导体;晶体管 | MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（半桥） 1700V（1.7kV） 325A（Tc） 1760W 底座安装 模块 | 下载 |
| UT6MA2TCR | ROHM(罗姆半导体) | 分立半导体;晶体管 | MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 4A（Ta） 2W（Ta） 表面贴装型 HUML2020L8 | 下载 |
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