IPD65R660CFDATMA2 PDF数据手册_IPD65R660CFDATMA2 特性/功能/参数/引脚图_Infineon(英飞凌) 晶体管

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IPD65R660CFDATMA2: 产品描述表面贴装型 N 通道 700 V 6A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3-313; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小3MB，共21页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

IPD65R660CFDATMA2概述

Infineon CoolMOS MOSFET 是一项用于高电压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超接点 (SJ) 原理设计，并由 Infineon 技术率先推出。650V CoolMOS CFDA 系列结合了领先 SJ MOSFET 供应商的经验和高级创新。由此产生的器件可提供快速切换 SJ MOSFET 的所有优势，同时提供极其快速和坚固的主体二极管。极低的切换，换向和传导损耗以及最高的坚固性相结合，使特别谐振切换应用更可靠，更高效，更轻，更凉爽。

超快主体二极管
非常高的换向坚固性
极低的损耗带来极低的损耗
易于使用 / 驱动
符合 AEC Q101 标准
绿色封装 (符合 RoHS 标准)

IPD65R660CFDATMA2规格参数

参数名称	属性值
类别	分立半导体;晶体管
厂商名称	Infineon(英飞凌)
系列	CoolMOS™ CFD2
包装	卷带（TR）剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	660 毫欧 @ 2.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.5V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	615 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）	63W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TO252-3-313
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号	IPD65R660

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