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MJD1223

eeworld网站中关于MJD1223有45个元器件。有MJD122、MJD122等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
MJD122 CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.] Transistor 下载
MJD122 Micro Commercial Components (MCC) Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, PLASTIC, DPACK-3 下载
MJD122 SAMSUNG(三星) Transistor 下载
MJD122 DCCOM [ DC COMPONENTS ] TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN DARLINGTON TRANSISTOR 下载
MJD122 ST(意法半导体) nullLow voltage power Darlington transistor 下载
MJD122 Motorola ( NXP ) 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 下载
MJD122 Fairchild Complementary Darlington Power Transistors 下载
MJD122 Weitron Technology NPN PLASTIC ENCAPSULATE TRANSISTORS 下载
MJD122 MCC POWER TRANSISTOR 下载
MJD122 LGE 暂无描述 下载
MJD122 ON Semiconductor(安森美) Darlington Transistors 8A 100V Bipolar 下载
MJD122 CDIL 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR 下载
MJD122 长电科技(JCET) —— 下载
MJD122 ISC isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 下载
MJD122 Tiger Electronic Co.,Ltd. COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS 下载
MJD122 海德(High Diode) TO-252-2L P lastic-Encapsulate Transistors 下载
MJD122_05 ON Semiconductor(安森美) Complementary Darlington Power Transistor 下载
MJD122_07 ST(意法半导体) nullLow voltage power Darlington transistor 下载
MJD122_09 Fairchild NPN Silicon Darlington Transistor 下载
MJD122-1 ST(意法半导体) Darlington Transistors NPN PWR Darlington Int Anti Collector 下载
MJD122-1 Motorola ( NXP ) 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 下载
MJD122-1 SAMSUNG(三星) Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, IPAK-3 下载
MJD122-1 ON Semiconductor(安森美) 8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, CASE 369-07, DPAK-3 下载
MJD122_11 ON Semiconductor(安森美) Complementary Darlington Power Transistor 下载
MJD122_16 ON Semiconductor(安森美) Complementary Darlington Power Transistor 下载
MJD122_16 MCC Silicon NPN epitaxial planerTransistors 下载
MJD122_17 ISC isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 下载
MJD1222 Fairchild Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, IPAK-3 下载
MJD122G ON Semiconductor(安森美) 额定功率:1.75W 集电极电流Ic:8A 集射极击穿电压Vce:100V 晶体管类型:NPN - Darlington 下载
MJD122-I Fairchild 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, IPAK-3 下载
关于MJD1223相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
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MJD122-1 、 MJD122-T1 下载文档
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MJD122-TP-HF 下载文档
MJD122-TP 下载文档
MJD122_09 下载文档
MJD122_05 下载文档
MJD1222 下载文档
MJD1223资料比对:
型号 MJD122 MJD122-1 MJD122T4
描述 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 8 A 8 A 8 A
基于收集器的最大容量 200 pF 200 pF 200 pF
集电极-发射极最大电压 100 V 100 V 100 V
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 100 100 100
JESD-30 代码 R-PDSO-G2 R-PSIP-T3 R-PDSO-G2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 3 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN NPN
功耗环境最大值 20 W 20 W 20 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO YES
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 DUAL SINGLE DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 4 MHz 4 MHz 4 MHz
最大关闭时间(toff) 3500 ns 3500 ns 3500 ns
VCEsat-Max 4 V 4 V 4 V
JESD-609代码 e0 e0 -
最大功率耗散 (Abs) 20 W 20 W -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
包装说明 - IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2
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