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MJD122

产品描述Complementary Darlington Power Transistors
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小136KB,共8页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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MJD122概述

Complementary Darlington Power Transistors

MJD122规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码TO-252
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.015
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)20 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

 
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