Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> TN2640N3-P003

TN2640N3-P003: 产品描述MOSFET 400V 5Ohm; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小793KB，共8页; 制造商Microchip(微芯科技); 官网地址https://www.microchip.com

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TN2640N3-P003概述

MOSFET 400V 5Ohm

TN2640N3-P003规格参数

参数名称	属性值
产品种类 Product Category	MOSFET
制造商 Manufacturer	Microchip(微芯科技)
RoHS	No
技术 Technology	Si
安装风格 Mounting Style	Through Hole
封装 / 箱体 Package / Case	TO-92-3
Number of Channels	1 Channel
Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	400 V
Id - Continuous Drain Current	2 A
Rds On - Drain-Source Resistance	5 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Configuration	Single
Channel Mode	Enhancement
Fall Time	22 ns
高度 Height	5.33 mm
长度 Length	5.21 mm
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	1 W
产品 Product	MOSFET Small Signal
Rise Time	15 ns
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	2000
Transistor Type	1 N-Channel
类型 Type	FET
Typical Turn-Off Delay Time	20 ns
Typical Turn-On Delay Time	4 ns
宽度 Width	4.19 mm
单位重量 Unit Weight	0.007760 oz

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Supertex inc.

N-Channel Enhancement-Mode

Vertical DMOS FETs

Features

►

Low threshold (2.0V max.)

High input impedance

Low input capacitance

Fast switching speeds

Low on-resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

TN2640

General Description

Applications

►

This low threshold enhancement-mode (normally-off)

transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s

well-proven silicon-gate manufacturing process. This

combination produces a device with the power handling

capabilities of bipolar transistors and with the high input

impedance and positive temperature coefficient inherent

in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this

device is free from thermal runaway and thermally induced

secondary breakdown.

Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a

wide range of switching and amplifying applications where

very low threshold voltage, high breakdown voltage, high

input impedance, low input capacitance, and fast switching

speeds are desired.

Logic level interfaces - ideal for TTL and CMOS

Solid state relays

Battery operated systems

Photo voltaic drives

Analog switches

General purpose line drivers

Telecom switches

Ordering Information

Part Number

TN2640K4-G

TN2640LG-G

TN2640N3-G

TN2640N3-G P002

TN2640N3-G P003

TN2640N3-G P005

TN2640N3-G P013

TN2640N3-G P015

For packaged products, -G indicates package is RoHS compliant (‘Green’).

TO-92 taping specifications and winding styles per EIA-468 Standard.

Devices in Wafer / Die form are RoHS compliant (‘Green’).

Refer to Die Specification VF57 for layout and dimensions.

Product Summary

Packing

2000/Reel

2500/Reel

1000/Bag

DSS

/BV

DGS

400V

DS(ON)

(max)

Package Option

TO-252 (D-PAK)

8-Lead SOIC

3-Lead TO-92

D(ON)

(min)

GS(th)

(max)

5.0Ω

2.0A

2.0V

Pin Configuration

DRAIN

3-Lead TO-92

2000/Reel

SOURCE

GATE

DRAIN

GATE

SOURCE

N/C

TO-252 (D-PAK)

8-Lead SOIC

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain-to-source voltage

Drain-to-gate voltage

Gate-to-source voltage

Operating and storage temperature

Value

DSS

DGS

±20V

-55°C to +150°C

DRAIN

SOURCE

GATE

TO-92

Typical Thermal Resistance

Package

TO-252 (D-PAK)

8-Lead SOIC

TO-92

C/W

101

C/W

132

C/W

Absolute Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device

may occur. Functional operation under these conditions is not implied. Continuous

operation of the device at the absolute rating level may affect device reliability. All

voltages are referenced to device ground.

Doc.# DSFP-TN2640

C071913

Supertex inc.

www.supertex.com

TN2640N3-P003相似产品对比

	TN2640N3-P003	TN2640N3-P013	TN2640LG-G	TN2640N3-P002-G	TN2640K4-G	TN2640N3-G-P002	TN2640N3	TN2640N3-G-P013	TN2640N3-G-P005	TN2640N3-G-P003
描述	MOSFET 400V 5Ohm	MOSFET 400V 5Ohm	Linear Voltage Regulators Positive adj Reg 3Terminal	MOSFET 400V 5Ohm	Thin Film Resistors - SMD 150ohms .1% 25ppm	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	MOSFET 400V 5Ohm	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
产品种类 Product Category	MOSFET	MOSFET	-	MOSFET	-	MOSFET	MOSFET	MOSFET	MOSFET	MOSFET
制造商 Manufacturer	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	-	Microchip(微芯科技)	-	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)
RoHS	No	No	-	Details	-	Details	N	Details	Details	Details
技术 Technology	Si	Si	-	Si	-	Si	Si	Si	Si	Si
安装风格 Mounting Style	Through Hole	Through Hole	-	Through Hole	-	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole
封装 / 箱体 Package / Case	TO-92-3	TO-92-3	-	TO-92-3	-	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3
Number of Channels	1 Channel	1 Channel	-	1 Channel	-	1 Channel	1 Channel	1 Channel	1 Channel	1 Channel
Transistor Polarity	N-Channel	N-Channel	-	N-Channel	-	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	400 V	400 V	-	400 V	-	400 V	400 V	400 V	400 V	400 V
Id - Continuous Drain Current	2 A	2 A	-	2 A	-	220 mA	2 A	220 mA	220 mA	220 mA
Rds On - Drain-Source Resistance	5 Ohms	5 Ohms	-	5 Ohms	-	5 Ohms	5 Ohms	5 Ohms	5 Ohms	5 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V	20 V	-	20 V	-	20 V	20 V	20 V	-	20 V
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C	- 55 C	-	- 55 C	-	- 55 C	- 55 C	- 55 C	-	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C	+ 150 C	-	+ 150 C	-	+ 150 C	+ 150 C	+ 150 C	-	+ 150 C
Configuration	Single	Single	-	Single	-	Single	Single	Single	Single	Single
Channel Mode	Enhancement	Enhancement	-	Enhancement	-	Enhancement	Enhancement	Enhancement	Enhancement	Enhancement
Fall Time	22 ns	22 ns	-	22 ns	-	22 ns	22 ns	22 ns	-	22 ns
高度 Height	5.33 mm	5.33 mm	-	-	-	5.33 mm	5.33 mm	5.33 mm	-	5.33 mm
长度 Length	5.21 mm	5.21 mm	-	-	-	5.21 mm	5.21 mm	5.21 mm	-	5.21 mm
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	1 W	1 W	-	1 W	-	740 mW	1 W	740 mW	-	740 mW
产品 Product	MOSFET Small Signal	MOSFET Small Signal	-	MOSFET Small Signal	-	MOSFET Small Signal	-	MOSFET Small Signal	-	MOSFET Small Signal
Rise Time	15 ns	15 ns	-	15 ns	-	15 ns	15 ns	15 ns	-	15 ns
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	2000	2000	-	2000	-	2000	1000	2000	2000	2000
Transistor Type	1 N-Channel	1 N-Channel	-	1 N-Channel	-	1 N-Channel	1 N-Channel	1 N-Channel	1 N-Channel	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	20 ns	20 ns	-	20 ns	-	20 ns	20 ns	20 ns	-	20 ns
Typical Turn-On Delay Time	4 ns	4 ns	-	4 ns	-	4 ns	4 ns	4 ns	-	4 ns
宽度 Width	4.19 mm	4.19 mm	-	-	-	4.19 mm	4.19 mm	4.19 mm	-	4.19 mm
单位重量 Unit Weight	0.007760 oz	0.007760 oz	-	0.016000 oz	-	0.016000 oz	0.007760 oz	0.016000 oz	0.016000 oz	0.016000 oz

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