Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> TN2640N3-G-P013

TN2640N3-G-P013: 产品描述MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小793KB，共8页; 制造商Microchip(微芯科技); 官网地址https://www.microchip.com

下载文档详细参数选型对比全文预览

TN2640N3-G-P013在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	TN2640N3-G-P013	-	-	点击查看	点击购买

TN2640N3-G-P013概述

MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET

TN2640N3-G-P013规格参数

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	Microchip(微芯科技)
产品种类 Product Category	MOSFET
RoHS	Details
技术 Technology	Si
安装风格 Mounting Style	Through Hole
封装 / 箱体 Package / Case	TO-92-3
Number of Channels	1 Channel
Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	400 V
Id - Continuous Drain Current	220 mA
Rds On - Drain-Source Resistance	5 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Configuration	Single
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	740 mW
Channel Mode	Enhancement
系列 Packaging	Reel
高度 Height	5.33 mm
长度 Length	5.21 mm
产品 Product	MOSFET Small Signal
Transistor Type	1 N-Channel
宽度 Width	4.19 mm
Fall Time	22 ns
NumOfPackaging	1
Rise Time	15 ns
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	2000
Typical Turn-Off Delay Time	20 ns
Typical Turn-On Delay Time	4 ns
单位重量 Unit Weight	0.016000 oz

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

Supertex inc.

N-Channel Enhancement-Mode

Vertical DMOS FETs

Features

►

Low threshold (2.0V max.)

High input impedance

Low input capacitance

Fast switching speeds

Low on-resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

TN2640

General Description

Applications

►

This low threshold enhancement-mode (normally-off)

transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s

well-proven silicon-gate manufacturing process. This

combination produces a device with the power handling

capabilities of bipolar transistors and with the high input

impedance and positive temperature coefficient inherent

in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this

device is free from thermal runaway and thermally induced

secondary breakdown.

Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a

wide range of switching and amplifying applications where

very low threshold voltage, high breakdown voltage, high

input impedance, low input capacitance, and fast switching

speeds are desired.

Logic level interfaces - ideal for TTL and CMOS

Solid state relays

Battery operated systems

Photo voltaic drives

Analog switches

General purpose line drivers

Telecom switches

Ordering Information

Part Number

TN2640K4-G

TN2640LG-G

TN2640N3-G

TN2640N3-G P002

TN2640N3-G P003

TN2640N3-G P005

TN2640N3-G P013

TN2640N3-G P015

For packaged products, -G indicates package is RoHS compliant (‘Green’).

TO-92 taping specifications and winding styles per EIA-468 Standard.

Devices in Wafer / Die form are RoHS compliant (‘Green’).

Refer to Die Specification VF57 for layout and dimensions.

Product Summary

Packing

2000/Reel

2500/Reel

1000/Bag

DSS

/BV

DGS

400V

DS(ON)

(max)

Package Option

TO-252 (D-PAK)

8-Lead SOIC

3-Lead TO-92

D(ON)

(min)

GS(th)

(max)

5.0Ω

2.0A

2.0V

Pin Configuration

DRAIN

3-Lead TO-92

2000/Reel

SOURCE

GATE

DRAIN

GATE

SOURCE

N/C

TO-252 (D-PAK)

8-Lead SOIC

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain-to-source voltage

Drain-to-gate voltage

Gate-to-source voltage

Operating and storage temperature

Value

DSS

DGS

±20V

-55°C to +150°C

DRAIN

SOURCE

GATE

TO-92

Typical Thermal Resistance

Package

TO-252 (D-PAK)

8-Lead SOIC

TO-92

C/W

101

C/W

132

C/W

Absolute Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device

may occur. Functional operation under these conditions is not implied. Continuous

operation of the device at the absolute rating level may affect device reliability. All

voltages are referenced to device ground.

Doc.# DSFP-TN2640

C071913

Supertex inc.

www.supertex.com

TN2640N3-G-P013相似产品对比

	TN2640N3-G-P013	TN2640N3-P013	TN2640LG-G	TN2640N3-P002-G	TN2640K4-G	TN2640N3-P003	TN2640N3-G-P002	TN2640N3	TN2640N3-G-P005	TN2640N3-G-P003
描述	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	MOSFET 400V 5Ohm	Linear Voltage Regulators Positive adj Reg 3Terminal	MOSFET 400V 5Ohm	Thin Film Resistors - SMD 150ohms .1% 25ppm	MOSFET 400V 5Ohm	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	MOSFET 400V 5Ohm	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
制造商 Manufacturer	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	-	Microchip(微芯科技)	-	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)
产品种类 Product Category	MOSFET	MOSFET	-	MOSFET	-	MOSFET	MOSFET	MOSFET	MOSFET	MOSFET
RoHS	Details	No	-	Details	-	No	Details	N	Details	Details
技术 Technology	Si	Si	-	Si	-	Si	Si	Si	Si	Si
安装风格 Mounting Style	Through Hole	Through Hole	-	Through Hole	-	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole
封装 / 箱体 Package / Case	TO-92-3	TO-92-3	-	TO-92-3	-	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3
Number of Channels	1 Channel	1 Channel	-	1 Channel	-	1 Channel	1 Channel	1 Channel	1 Channel	1 Channel
Transistor Polarity	N-Channel	N-Channel	-	N-Channel	-	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	400 V	400 V	-	400 V	-	400 V	400 V	400 V	400 V	400 V
Id - Continuous Drain Current	220 mA	2 A	-	2 A	-	2 A	220 mA	2 A	220 mA	220 mA
Rds On - Drain-Source Resistance	5 Ohms	5 Ohms	-	5 Ohms	-	5 Ohms	5 Ohms	5 Ohms	5 Ohms	5 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V	20 V	-	20 V	-	20 V	20 V	20 V	-	20 V
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C	- 55 C	-	- 55 C	-	- 55 C	- 55 C	- 55 C	-	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C	+ 150 C	-	+ 150 C	-	+ 150 C	+ 150 C	+ 150 C	-	+ 150 C
Configuration	Single	Single	-	Single	-	Single	Single	Single	Single	Single
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	740 mW	1 W	-	1 W	-	1 W	740 mW	1 W	-	740 mW
Channel Mode	Enhancement	Enhancement	-	Enhancement	-	Enhancement	Enhancement	Enhancement	Enhancement	Enhancement
高度 Height	5.33 mm	5.33 mm	-	-	-	5.33 mm	5.33 mm	5.33 mm	-	5.33 mm
长度 Length	5.21 mm	5.21 mm	-	-	-	5.21 mm	5.21 mm	5.21 mm	-	5.21 mm
产品 Product	MOSFET Small Signal	MOSFET Small Signal	-	MOSFET Small Signal	-	MOSFET Small Signal	MOSFET Small Signal	-	-	MOSFET Small Signal
Transistor Type	1 N-Channel	1 N-Channel	-	1 N-Channel	-	1 N-Channel	1 N-Channel	1 N-Channel	1 N-Channel	1 N-Channel
宽度 Width	4.19 mm	4.19 mm	-	-	-	4.19 mm	4.19 mm	4.19 mm	-	4.19 mm
Fall Time	22 ns	22 ns	-	22 ns	-	22 ns	22 ns	22 ns	-	22 ns
Rise Time	15 ns	15 ns	-	15 ns	-	15 ns	15 ns	15 ns	-	15 ns
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	2000	2000	-	2000	-	2000	2000	1000	2000	2000
Typical Turn-Off Delay Time	20 ns	20 ns	-	20 ns	-	20 ns	20 ns	20 ns	-	20 ns
Typical Turn-On Delay Time	4 ns	4 ns	-	4 ns	-	4 ns	4 ns	4 ns	-	4 ns
单位重量 Unit Weight	0.016000 oz	0.007760 oz	-	0.016000 oz	-	0.007760 oz	0.016000 oz	0.007760 oz	0.016000 oz	0.016000 oz

推荐资源

ssd1289求助: 本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 03:23 编辑本人最近刚买了ssd1289 的TFTlcd 刚开完不是很明白啊心思问问那位大神有altera fpga控制ssd1289 的程序或者资料啊，或者告诉我点思路呗，以前 ......; gjs810909 电子竞赛

【设计工具】采用顶层文件搭建SOC系统（可适用于altera和xilinx）: http://player.youku.com/player.php/sid/XMjE3MzUxNjEy/v.swf...; 鑫海宝贝 FPGA/CPLD

请教有关无线发射电路: 我是一个软件工程师, 碰得这种硬件有点难,请各位看完原理图.看能否告诉我那个四个脚的,上面标有AWM字样的电子元件是什么? 我查MAXIM有关资料,估计是一个运算放大比较器,但不知道什么型号,请各 ......; crzman 无线连接

原来电路是算出来的！: 在你看这边文章之前，我想作出几点说明：（1）最近在看拉扎维的书，写下来这些东西，这也只是我个人在学习过程中的一点总结，有什么观点大家可以相互交流；（2）不断的思考，不断的理解，不断的 ......; ld056k 模拟电子

STM32F103RC内部的DAC输出问题: 我用STM32内部的定时器出触发STM32内部的DAC输出两种不同频率的波形，两个波形都是正弦波，控制两个频率的波形交替发出，我想控制DA触发12次即其中八个高频四个低频，频率非别为4K和8K，控制DAC ......; 小浅白白单片机

STM32 JLX12864驱动: #ifndef _LCD_H #define _LCD_H #include #include "stdio.h" #include "delay.h" #define LCDCS_H HAL_GPIO_WritePin(GPIOB,GPIO_PIN_8,GPIO_PIN_SET); #define LCDCS_L HAL_GPIO_W ......; xutong stm32/stm8

单片机main函数退出后发生什么——以stm32为例

网上搜索可能因为大家不太关心这种情况，我没有找到有关论述单片机main函数退出的文章。不过在ST Community、阿莫BBS、StackOverflow看到有人在问同样的问题，下面摘录了一些不同角度的回答： C语言环境角度，三种可能性编译器在main函数后加入隐性的无限循环编译器在main外面添加一层无限循环 CPU继续向下取址运行（也就是跑飞了）单片机设计角度，退出会引发异常、...[详细]
STM32学习笔记之中断应用概览--以f103为例

　　异常类型　　F103 在内核水平上搭载了一个异常响应系统，支持为数众多的系统异常和外部中断。其中系统异常有8 个(如果把Reset 和HardFault 也算上的话就是10 个)，外部中断有60个。除了个别异常的优先级被定死外，其它异常的优先级都是可编程的。有关具体的系统异常和外部中断可在标准库文件stm32f10x.h 这个头文件查询到，在IRQn_Type 这个结构体里面包含了F10...[详细]
光伏直流熔断器如何申请UL248认证？

光伏直流熔断器是一种用于保护光伏电池组件、逆变器和直流负载的安全装置。为了保证其安全性和可靠性，需要通过UL248认证。在申请UL248认证之前，首先需要确定该产品符合UL标准的要求。UL标准可以通过官方网站或者相关资料获取。然后，需要选择一家符合要求的第三方测试机构-安可捷进行测试。测试公司会对光伏直流熔断器进行多项检测，包括电气性能、机械性能、绝缘性能等。测试结果需要符合UL标准...[详细]
机械设计中常用的动密封，了解一下

设备动密封问题是伴随着设备的运行而始终存在的，今天特意为大家梳理出了动设备上常用的各类密封形式和使用范围以及特点，让大家能够对密封问题有一个更深的了解。一、填料密封填料密封按其结构特点可分为：软填料密封硬填料密封成型填料密封 1、软填料密封软填料类型：盘根盘根通常由较柔软的线状物编织而成，通过截面积是正方形的条状物填充在密封腔体内，靠压盖产生压紧力，压紧填料，迫使填料压...[详细]
这可能是你没见过的！R型电梯变压器的神奇之处！

现在我们住的房子大部分都是电梯楼，主要原因是上下楼梯比较方便！它还能让生活更舒适。它甚至有助于提高房地产的附加值。最重要的是，别墅用的电梯不贵，一台几万元。有了这个装置，可以节省老人和孩子上下楼梯的时间，方便、安全、快捷。为了降低振动和噪声，使电梯环境质量达到相关标准的要求，目前许多电梯厂家。通常配电设备会选择使用r型电梯变压器来改变电压。在安全改变电压的同时，其多重保护功能也可以降低电梯的事故...[详细]
基于单片机的FLAC高保真数字音频播放器设计

一、项目概述 1.1 引言目前，大部分的音乐文件都是以mp3格式来保存的，mp3是一种有损的音频压缩格式，它无法完美地再现原版音乐。随着存储器容量的扩大、网络带宽的增加、处理器性能的增强以及人们对生活品质要求的提高，无损音乐越来越受到人们的青睐，对无损音乐播放器的需求也就越来越大。 1.2 项目背景/选题动机我们希望能在 AVR 单片机上实现一个“FLAC高保真音频播放器”。播放器用...[详细]
电动汽车和燃油车它们各自的优势是什么

目前电动车来势汹汹，但只是表象而已。燃油车的地位依然无法撼动，电动汽车可以说在环保排放上有着得天独厚的优势，动力也不弱，远远超过同价位的燃油车，但是有很多缺点目前无法克服。电动车目前最大的瓶颈就是电池。电池能量密度低、容量衰减、充电困难以及安全系数是目前电动汽车发展遇到的主要问题。想要提高续航里程那么只需要加大电池容量即可，但是汽车不仅空间有限而且总质量也不宜过高，总质量过大则电耗也会加大...[详细]
硬盘录像机编码融入智能技术解析

DVR市场发展现状 DVR即数字视频录像机，相对于传统的模拟视频录像机，采用硬盘录像，故常常被称为硬盘录像机。它是一套进行图像存储处理的计算机系统，具有对图像/语音进行长时间录像、录音、远程监视和控制的功能。本文重点介绍DVR市场发展现状及未来发展趋势。 DVR市场发展现状伴随着DVR市场规模的扩大，市场的新进者不断增多，这使得DVR市场竞争异常激烈，产品同质化严重。现在随着高清智能摄像机的出...[详细]
HY16F188高精度触控厨房秤应用

1. Introduction Electronic scales are gradually replacing traditional measuring tools like springs and balances in everyday life, such as electronic price computing scales and electronic weigh...[详细]
POSCO Future M推出高端和标准电动汽车正极材料

据外媒报道，二次电池材料公司POSCO Future M宣布，已成功开发出两种针对高端和标准电动汽车市场的试验（原型）正极材料。图片来源： POSCO Future M “超高镍正极材料”专为高端电动汽车设计，将高镍正极材料中的镍含量从现有的80%提升至95%以上。该材料能量密度高，可最大程度延长电动汽车的续航里程。该公司的目标是向美国和欧洲等发达市场的高端电动汽车和城市空中交...[详细]
共享智慧的变革：研究人员开发群体智能机器人

在自动化技术突飞猛进的今天，机器人之间的协作已不再是科幻场景。试想这样的画面：数十台机器在仓库中搬运货物却互不干扰；在一个餐厅里，机器人能准确将菜品送至指定餐位；又或者在一个工厂里，机器人团队可以根据需求动态调整任务分工。（图片来源：ieeexplore.ieee.org）据外媒报道，国际研究团队依托基于ROS2的开源框架开发新系统，使多个机器人能以智能、灵活且安全的方式协同作业，...[详细]
工信部推动制定首个电器电子产品有害物质管控强制性国家标准

8 月 22 日消息，据工信部官网消息，近日，我国电器电子产品有害物质管控领域首个强制性国家标准《电器电子产品有害物质限制使用要求》（GB 26572—2025）经国家标准化管理委员会批准发布，将于 2027 年 8 月 1 日正式实施。该标准由工业和信息化部提出并归口管理，中国电子技术标准化研究院联合电器电子行业生产制造企业、认证检测机构、行业协会及科研院所等 60 余家单位共同研制。从官方...[详细]
stm32相关笔记——ADC部分

我们在学习一门技术的时候，应该对它的理论部分有所了解，然后才能在实践中进一步加深理解，进而掌握。对于stm32来说，我认为学习的时候应该先仔细阅读相关的参考手册，然后再动手实践，这样才能理解得更加透彻，掌握得更加牢固！今天记录一下我学习stm32的ADC部分的了解。 1.介绍小结：stm32的ADC有18个通道（16个外部通道+2个内部通道），有单次、连续、扫描和间断四种模式，ADC...[详细]
基于LED光数据传输的温度实时显示系统

　　本文提出了以京微雅格低功耗FPGA HR(黄河)系列为主控制器，以温度传感器，LED灯，光频转换器，LCD屏等为外围电路的基于LED光数据传输的温度实时传输及显示方案，实现了可靠的温度值实时传输和显示。　　1. 系统功能介绍　　本系统主要包括CME-HR03 FPGA，温度传感器，光频转换器及LCD显示屏几个部分，其实现框图如下所示：　　本系统中，首先由温度传感器经IIC接口将...[详细]
纯电动汽车的双电机与单电机各自的特点是什么

对于电动汽车而言，最核心的部件之一就是电机。电源为电机提供电能，而电机的作用就是将这些电能转化为机械能，进而通过传动装置来驱动车轮前进，因此汽车的能量转换效率与电机的性能密不可分。而为了提升汽车性能，双电机模式也被应用到了电动汽车当中。那么相较于传统的单电机模式，双电机模式拥有着哪些优势，是否只是单电机的叠加呢？首先，目前的双电机驱动主要是有三种方式，第一种是两个功率相同的电机进行叠加，实...[详细]

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

随便看看