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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> TN2640LG-G
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TN2640LG-G

产品描述Linear Voltage Regulators Positive adj Reg 3Terminal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小793KB，共8页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
标准
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TN2640LG-G在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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TN2640LG-G概述

Linear Voltage Regulators Positive adj Reg 3Terminal

TN2640LG-G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time7 weeks
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH INPUT IMPEDANCE, LOW THRESHOLD
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.26 A
最大漏极电流 (ID)0.26 A
最大漏源导通电阻5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)15 pF
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级3
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值1.3 W
最大功率耗散 (Abs)1.3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)2 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间（toff）52 ns
最大开启时间（吨）35 ns
Base Number Matches1

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Supertex inc.
N-Channel Enhancement-Mode
Vertical DMOS FETs
Features
►
►
►
►
►
►
►
Low threshold (2.0V max.)
High input impedance
Low input capacitance
Fast switching speeds
Low on-resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakage
TN2640
General Description
Applications
►
►
►
►
►
►
►
This low threshold enhancement-mode (normally-off)
transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s
well-proven silicon-gate manufacturing process. This
combination produces a device with the power handling
capabilities of bipolar transistors and with the high input
impedance and positive temperature coefficient inherent
in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this
device is free from thermal runaway and thermally induced
secondary breakdown.
Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a
wide range of switching and amplifying applications where
very low threshold voltage, high breakdown voltage, high
input impedance, low input capacitance, and fast switching
speeds are desired.
Logic level interfaces - ideal for TTL and CMOS
Solid state relays
Battery operated systems
Photo voltaic drives
Analog switches
General purpose line drivers
Telecom switches
Ordering Information
Part Number
TN2640K4-G
TN2640LG-G
TN2640N3-G
TN2640N3-G P002
TN2640N3-G P003
TN2640N3-G P005
TN2640N3-G P013
TN2640N3-G P015
For packaged products, -G indicates package is RoHS compliant (‘Green’).
TO-92 taping specifications and winding styles per EIA-468 Standard.
Devices in Wafer / Die form are RoHS compliant (‘Green’).
Refer to Die Specification VF57 for layout and dimensions.
Product Summary
Packing
2000/Reel
2500/Reel
1000/Bag
BV
DSS
/BV
DGS
400V
R
DS(ON)
(max)
Package Option
TO-252 (D-PAK)
8-Lead SOIC
3-Lead TO-92
I
D(ON)
(min)
V
GS(th)
(max)
5.0Ω
2.0A
2.0V
Pin Configuration
DRAIN
3-Lead TO-92
2000/Reel
SOURCE
GATE
DRAIN
DRAIN
DRAIN
DRAIN
GATE
SOURCE
N/C
N/C
TO-252 (D-PAK)
8-Lead SOIC
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Drain-to-source voltage
Drain-to-gate voltage
Gate-to-source voltage
Operating and storage temperature
Value
BV
DSS
BV
DGS
±20V
-55°C to +150°C
DRAIN
SOURCE
GATE
TO-92
Typical Thermal Resistance
Package
TO-252 (D-PAK)
8-Lead SOIC
TO-92
θ
ja
81
O
C/W
101
O
C/W
132
O
C/W
Absolute Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device
may occur. Functional operation under these conditions is not implied. Continuous
operation of the device at the absolute rating level may affect device reliability. All
voltages are referenced to device ground.
Doc.# DSFP-TN2640
C071913
Supertex inc.
www.supertex.com

TN2640LG-G相似产品对比

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描述 Linear Voltage Regulators Positive adj Reg 3Terminal MOSFET 400V 5Ohm MOSFET 400V 5Ohm Thin Film Resistors - SMD 150ohms .1% 25ppm MOSFET 400V 5Ohm MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET MOSFET 400V 5Ohm MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
产品种类
Product Category		 - MOSFET MOSFET - MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET
制造商
Manufacturer		 - Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) - Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技)
RoHS - No Details - No Details N Details Details Details
技术
Technology		 - Si Si - Si Si Si Si Si Si
安装风格
Mounting Style		 - Through Hole Through Hole - Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case		 - TO-92-3 TO-92-3 - TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3
Number of Channels - 1 Channel 1 Channel - 1 Channel 1 Channel 1 Channel 1 Channel 1 Channel 1 Channel
Transistor Polarity - N-Channel N-Channel - N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage - 400 V 400 V - 400 V 400 V 400 V 400 V 400 V 400 V
Id - Continuous Drain Current - 2 A 2 A - 2 A 220 mA 2 A 220 mA 220 mA 220 mA
Rds On - Drain-Source Resistance - 5 Ohms 5 Ohms - 5 Ohms 5 Ohms 5 Ohms 5 Ohms 5 Ohms 5 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V 20 V - 20 V 20 V 20 V 20 V - 20 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature		 - - 55 C - 55 C - - 55 C - 55 C - 55 C - 55 C - - 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature		 - + 150 C + 150 C - + 150 C + 150 C + 150 C + 150 C - + 150 C
Configuration - Single Single - Single Single Single Single Single Single
Channel Mode - Enhancement Enhancement - Enhancement Enhancement Enhancement Enhancement Enhancement Enhancement
Fall Time - 22 ns 22 ns - 22 ns 22 ns 22 ns 22 ns - 22 ns
高度
Height		 - 5.33 mm - - 5.33 mm 5.33 mm 5.33 mm 5.33 mm - 5.33 mm
长度
Length		 - 5.21 mm - - 5.21 mm 5.21 mm 5.21 mm 5.21 mm - 5.21 mm
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation		 - 1 W 1 W - 1 W 740 mW 1 W 740 mW - 740 mW
产品
Product		 - MOSFET Small Signal MOSFET Small Signal - MOSFET Small Signal MOSFET Small Signal - MOSFET Small Signal - MOSFET Small Signal
Rise Time - 15 ns 15 ns - 15 ns 15 ns 15 ns 15 ns - 15 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity		 - 2000 2000 - 2000 2000 1000 2000 2000 2000
Transistor Type - 1 N-Channel 1 N-Channel - 1 N-Channel 1 N-Channel 1 N-Channel 1 N-Channel 1 N-Channel 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time - 20 ns 20 ns - 20 ns 20 ns 20 ns 20 ns - 20 ns
Typical Turn-On Delay Time - 4 ns 4 ns - 4 ns 4 ns 4 ns 4 ns - 4 ns
宽度
Width		 - 4.19 mm - - 4.19 mm 4.19 mm 4.19 mm 4.19 mm - 4.19 mm
单位重量
Unit Weight		 - 0.007760 oz 0.016000 oz - 0.007760 oz 0.016000 oz 0.007760 oz 0.016000 oz 0.016000 oz 0.016000 oz

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  3. ATS-12A-99-C1-R0
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