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BT151X-650C

在6个相关元器件中,BT151X-650C有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
BT151X-650C WeEn Semiconductors Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 650V V(DRM), 650V V(RRM), 1 Element, TO-220AB, PLASTIC, TO-220F, FULL PACK-3 下载
BT151X-650C NXP(恩智浦) Silicon Controlled Rectifier, 12 A, 650 V, SCR, PLASTIC, FULL PACK-3 下载
BT151X-650C Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Silicon Controlled Rectifier, 7500mA I(T), 650V V(DRM), 下载
BT151X-650C,127 NXP(恩智浦) SCR 下载
BT151X-650C127 NXP(恩智浦) RS-232 Interface IC 5V MultiCh RS-232 Driver/Receiver 下载
BT151X-650C,127 WeEn Semiconductors Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 650V V(DRM), 650V V(RRM), 1 Element, TO-220AB, PLASTIC, TO-220F, FULL PACK-3 下载
BT151X-650C的相关参数为:

器件描述

Silicon Controlled Rectifier, 7500mA I(T), 650V V(DRM),

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
标称电路换相断开时间70 µs
关态电压最小值的临界上升速率50 V/us
最大直流栅极触发电流15 mA
最大直流栅极触发电压1.5 V
最大维持电流20 mA
JESD-609代码e3
最大漏电流0.5 mA
通态非重复峰值电流110 A
最大通态电压1.75 V
最大通态电流7500 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
断态重复峰值电压650 V
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
触发设备类型SCR
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