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BT151X-650C

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 7500mA I(T), 650V V(DRM),
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小42KB,共6页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
标准
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BT151X-650C概述

Silicon Controlled Rectifier, 7500mA I(T), 650V V(DRM),

BT151X-650C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
标称电路换相断开时间70 µs
关态电压最小值的临界上升速率50 V/us
最大直流栅极触发电流15 mA
最大直流栅极触发电压1.5 V
最大维持电流20 mA
JESD-609代码e3
最大漏电流0.5 mA
通态非重复峰值电流110 A
最大通态电压1.75 V
最大通态电流7500 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
断态重复峰值电压650 V
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
触发设备类型SCR

BT151X-650C相似产品对比

BT151X-650C BT151X-800C
描述 Silicon Controlled Rectifier, 7500mA I(T), 650V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 7500mA I(T), 800V V(DRM),
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
Reach Compliance Code unknown unknown
标称电路换相断开时间 70 µs 70 µs
关态电压最小值的临界上升速率 50 V/us 50 V/us
最大直流栅极触发电流 15 mA 15 mA
最大直流栅极触发电压 1.5 V 1.5 V
最大维持电流 20 mA 20 mA
JESD-609代码 e3 e3
最大漏电流 0.5 mA 0.5 mA
通态非重复峰值电流 110 A 110 A
最大通态电压 1.75 V 1.75 V
最大通态电流 7500 A 7500 A
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
断态重复峰值电压 650 V 800 V
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
触发设备类型 SCR SCR

 
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