Silicon Controlled Rectifier, 7500mA I(T), 650V V(DRM),
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
标称电路换相断开时间 | 70 µs |
关态电压最小值的临界上升速率 | 50 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 15 mA |
最大直流栅极触发电压 | 1.5 V |
最大维持电流 | 20 mA |
JESD-609代码 | e3 |
最大漏电流 | 0.5 mA |
通态非重复峰值电流 | 110 A |
最大通态电压 | 1.75 V |
最大通态电流 | 7500 A |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
断态重复峰值电压 | 650 V |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
触发设备类型 | SCR |
BT151X-650C | BT151X-800C | |
---|---|---|
描述 | Silicon Controlled Rectifier, 7500mA I(T), 650V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 7500mA I(T), 800V V(DRM), |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
标称电路换相断开时间 | 70 µs | 70 µs |
关态电压最小值的临界上升速率 | 50 V/us | 50 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 15 mA | 15 mA |
最大直流栅极触发电压 | 1.5 V | 1.5 V |
最大维持电流 | 20 mA | 20 mA |
JESD-609代码 | e3 | e3 |
最大漏电流 | 0.5 mA | 0.5 mA |
通态非重复峰值电流 | 110 A | 110 A |
最大通态电压 | 1.75 V | 1.75 V |
最大通态电流 | 7500 A | 7500 A |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
断态重复峰值电压 | 650 V | 800 V |
表面贴装 | YES | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
触发设备类型 | SCR | SCR |
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