EPROM 4M (256Kx16) 80ns
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ST(意法半导体) |
Objectid | 1439677676 |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | LEAD FREE, CERAMIC, WINDOWED, FRIT SEALED, DIP-40 |
针数 | 40 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
compound_id | 1589345 |
最长访问时间 | 80 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-CDIP-T40 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 52.195 mm |
内存密度 | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | UVPROM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 40 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 256KX16 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | WDIP |
封装等效代码 | DIP40,.6 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE, WINDOW |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 245 |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.72 mm |
最大待机电流 | 0.0001 A |
最大压摆率 | 0.07 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.25 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 15.24 mm |
M27C4002-80XF1 | M27C4002-80C6TR | M27C4002-10C1 | M27C4002-70C1 | |
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描述 | EPROM 4M (256Kx16) 80ns | EPROM 4M (256Kx16) 70ns | ||
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
零件包装代码 | DIP | LCC | LCC | LCC |
包装说明 | LEAD FREE, CERAMIC, WINDOWED, FRIT SEALED, DIP-40 | LEAD FREE, PLASTIC, LCC-44 | LEAD FREE, PLASTIC, LCC-44 | LEAD FREE, PLASTIC, LCC-44 |
针数 | 40 | 44 | 44 | 44 |
Reach Compliance Code | unknown | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最长访问时间 | 80 ns | 80 ns | 100 ns | 70 ns |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | R-CDIP-T40 | S-PQCC-J44 | S-PQCC-J44 | S-PQCC-J44 |
JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 | e3 |
长度 | 52.195 mm | 16.586 mm | 16.586 mm | 16.586 mm |
内存密度 | 4194304 bit | 4194304 bit | 4194304 bit | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | UVPROM | OTP ROM | OTP ROM | OTP ROM |
内存宽度 | 16 | 16 | 16 | 16 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 40 | 44 | 44 | 44 |
字数 | 262144 words | 262144 words | 262144 words | 262144 words |
字数代码 | 256000 | 256000 | 256000 | 256000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 85 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 256KX16 | 256KX16 | 256KX16 | 256KX16 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | WDIP | QCCJ | QCCJ | QCCJ |
封装等效代码 | DIP40,.6 | LDCC44,.7SQ | LDCC44,.7SQ | LDCC44,.7SQ |
封装形状 | RECTANGULAR | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
封装形式 | IN-LINE, WINDOW | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 245 | 245 | 260 | 260 |
电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.72 mm | 4.57 mm | 4.57 mm | 4.57 mm |
最大待机电流 | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A |
最大压摆率 | 0.07 mA | 0.07 mA | 0.07 mA | 0.07 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.25 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | J BEND | J BEND | J BEND |
端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | QUAD | QUAD | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | 30 | 30 |
宽度 | 15.24 mm | 16.586 mm | 16.586 mm | 16.586 mm |
厂商名称 | ST(意法半导体) | - | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
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