电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BYT52AZ

产品描述0.85 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小62KB,共2页
制造商BILIN
官网地址http://www.galaxycn.com/
下载文档 选型对比 全文预览

BYT52AZ概述

0.85 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE

文档预览

下载PDF文档
BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
BYT52A(Z)---BYT52M(Z)
VOLT AGE RANGE: 50 --- 1000 V
CURRENT: 1.4 A
FAST RECOVERY RECT IFIERS
Low cos t
Diffus ed junction
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
Eas ily cleaned with Freon, Alcohol,Is opropanol and
s im ilar s olvents
DO - 15
MECHANICAL DATA
Cas e:JEDEC DO--15,m olded plas tic
Term inals : Axial lead ,s olderable per
MIL- STD-202,Method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.014 ounces ,0.39 gram s
Mounting pos ition: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
am bient tem perature unles s otherwis e s pecified.
Single phas e,half wave,50Hz,res is tive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
BYT
52A
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average f orw ard rectif ied current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
BYT
52B
100
70
10
BYT
52D
200
140
200
BYT
52G
400
280
400
1.4
BYT
52J
600
420
600
BYT
52K
800
560
800
BYT
52M
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
V
RR M
V
R MS
V
DC
I
F(AV)
50
35
50
Peak f orw ard surge current
10ms single half -sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
qJA
T
J
T
STG
50.0
A
Maximum instantaneous f orw ard voltage
(
@ 1.0A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25
@T
A
=100
1.3
5.0
100.0
200
18
45
-55 ---- + 150
-55 ---- + 150
V
A
ns
pF
/W
Maximum reverse recovery time (Note1)
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
(Note2)
(Note3)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
N OTE:1. Meas ured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
2. Measured at 1.0MH Z and applied rev erse v oltage of 4.0V D C .
3. Therm al resistance f rom junction to am bient.
www.galaxycn.com
Document Number 0261043
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

BYT52AZ相似产品对比

BYT52AZ BYT52BZ BYT52DZ BYT52GZ BYT52J BYT52JZ BYT52K BYT52KZ BYT52M BYT52MZ
描述 0.85 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.85 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.85 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.85 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.85 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.85 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.85 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.85 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.85 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.85 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE
STM8 中断服务函数里面调用子函数 会重启
本帖最后由 jiangjian0206 于 2016-2-22 13:42 编辑 问题:如题,中断里面调用子函数,不能正确返回,程序跑飞而一直重启。 代码: #pragma vector=0x19 __interrupt void interrupt_hand ......
jiangjian0206 stm32/stm8
如何为Wince下的对话框添加左右软件菜单
如何为Wince下的对话框添加左右软件菜单, 我用 //创建菜单项 if (!m_wndCommandBar.Create(this) || !m_wndCommandBar.InsertMenuBar(IDR_MENU1) /*||*/ /*!m_wndCommandBar.AddAd ......
1742 嵌入式系统
三星s3c6410的BSP中提供SPI总线的驱动,可是为什么没编译进内核呢?
rt 如果想自己手动把spi总线的驱动加入内核,改怎么做呢? 谢谢!...
felixty 嵌入式系统
请教:关于TIC2000 SYS/BIOS的任务例程的疑惑
在CCS5.4版本中提供了使用SYS/BIOS创建的Task例程,在任务函数中使用了如下语句: Void task1(UArg arg0, UArg arg1) { UInt32 time; for (;;) { ......
fengshen531 DSP 与 ARM 处理器
【全程免费】华清远见名家讲堂:嵌入式驱动开发揭秘!
各位eeworld坛友好! 期待已久的华清远见4-5月份名家讲堂,终于要和大家见面了! PS:3月份名家大讲堂“Android开发篇”视频已经发到坛子里了,详情见:https://bbs.eeworld.com.cn/thread- ......
eric_wang 嵌入式系统
提高效率的方法思考(基于Vxworks和Tornado的工作经验)欢迎大家讨论指针
一个嵌入式行业内的闲杂人员的问题和随机思考 敝人抛砖引玉版,出道时间短,只做过Tornado上的项目,想和大家讨论一下如何提高工作效率的问题,看过人家写 ......
pptyok 实时操作系统RTOS

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2203  2502  2830  1010  460  8  3  26  7  31 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved