电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BYT52K

产品描述0.85 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小62KB,共2页
制造商BILIN
官网地址http://www.galaxycn.com/
下载文档 选型对比 全文预览

BYT52K概述

0.85 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE

文档预览

下载PDF文档
BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
BYT52A(Z)---BYT52M(Z)
VOLT AGE RANGE: 50 --- 1000 V
CURRENT: 1.4 A
FAST RECOVERY RECT IFIERS
Low cos t
Diffus ed junction
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
Eas ily cleaned with Freon, Alcohol,Is opropanol and
s im ilar s olvents
DO - 15
MECHANICAL DATA
Cas e:JEDEC DO--15,m olded plas tic
Term inals : Axial lead ,s olderable per
MIL- STD-202,Method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.014 ounces ,0.39 gram s
Mounting pos ition: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
am bient tem perature unles s otherwis e s pecified.
Single phas e,half wave,50Hz,res is tive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
BYT
52A
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average f orw ard rectif ied current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
BYT
52B
100
70
10
BYT
52D
200
140
200
BYT
52G
400
280
400
1.4
BYT
52J
600
420
600
BYT
52K
800
560
800
BYT
52M
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
V
RR M
V
R MS
V
DC
I
F(AV)
50
35
50
Peak f orw ard surge current
10ms single half -sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
qJA
T
J
T
STG
50.0
A
Maximum instantaneous f orw ard voltage
(
@ 1.0A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25
@T
A
=100
1.3
5.0
100.0
200
18
45
-55 ---- + 150
-55 ---- + 150
V
A
ns
pF
/W
Maximum reverse recovery time (Note1)
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
(Note2)
(Note3)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
N OTE:1. Meas ured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
2. Measured at 1.0MH Z and applied rev erse v oltage of 4.0V D C .
3. Therm al resistance f rom junction to am bient.
www.galaxycn.com
Document Number 0261043
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

BYT52K相似产品对比

BYT52K BYT52AZ BYT52BZ BYT52DZ BYT52GZ BYT52J BYT52JZ BYT52KZ BYT52M BYT52MZ
描述 0.85 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.85 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.85 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.85 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.85 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.85 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.85 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.85 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.85 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.85 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE
票选 TI SimpleLink NO.1:为你心仪的板子投票!
TI SimpleLink 狂欢正嗨! 热门产品 9 折特惠,为你心仪的板子投票,并在此跟帖写出投票理由,即有机会获赠精美礼品。 >> 查看活动详情,点此参与投票 325576 ...
EEWORLD社区 无线连接
KiCAD JLCPCB 工具
KiCAD JLCPCB tools 是一个插件,可以将立创商城元件添加到 KiCad 576396 https://github.com/Bouni/kicad-jlcpcb-tools ...
dcexpert PCB设计
求助! 哪位大哥能发一份车内工作温度范围的标准?
正在设计一款汽车电子产品, 考虑到产品寿命及可靠性方面, 必须要了解汽车工作环境. 恳请哪位同行提供.........
victor556 汽车电子
基于I2C总线的新型可编程增益放大电路的设计
来源:EDNCHINA 在各类遥感遥测系统中,模拟信号的动态范围通常都很大,一般在几mV至几十V范围内(动态范围可达80_90db),有的甚至是几pV_几百V(动态范围可达160db以上)。而且信号的干扰源多,有 ......
fighting 模拟电子
RISC-V MCU开发实战 (三):移植鸿蒙OS项目
软件平台:MounRiver Studio( MRS);硬件平台: CH32V307开发板 先去码云上将源码克隆下来: https://gitee.com/openharmony/kernel_liteos_m 新建一个CH32V307的工程,将源码直接拖到工 ......
Moiiiiilter 单片机
【AN-753应用笔记】配置AD7877
简介: AD7877触摸屏控制器是一款12位逐次逼近型ADC,具有同步串行接口以及用于驱动触摸屏的低导通电阻开关。 114230 114231...
EEWORLD社区 ADI 工业技术

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 411  704  2497  1389  846  9  30  15  13  48 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved