BR93L66FVT-WE1,BR93L66FVT-WE1 pdf中文资料,BR93L66FVT-WE1引脚图,BR93L66FVT-WE1电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> BR93L66FVT-WE1

BR93L66FVT-WE1: 产品描述EEPROM Card, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8; 产品类别存储存储; 文件大小340KB，共6页; 制造商ROHM(罗姆半导体); 官网地址https://www.rohm.com/; 标准

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BR93L66FVT-WE1概述

EEPROM Card, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8

BR93L66FVT-WE1规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ROHM(罗姆半导体)
包装说明	TSSOP-8
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	IT ALSO OPERATES AT 0.5MHZ AT 1.8MIN
最大时钟频率 (fCLK)	2 MHz
数据保留时间-最小值	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e3
长度	4.4 mm
内存密度	4096 bit
内存集成电路类型	EEPROM CARD
内存宽度	16
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端子数量	8
字数	256 words
字数代码	256
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	256X16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	2/5 V
编程电压	2.7 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
串行总线类型	MICROWIRE
最大待机电流	0.000002 A
最大压摆率	0.0045 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	3 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms
写保护	SOFTWARE

BR93L66FVT-WE1相似产品对比

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描述	EEPROM Card, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8	EEPROM Card, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
包装说明	TSSOP-8	TSSOP, TSSOP8,.25	TSSOP, TSSOP8,.25	SOP, SOP8,.25	SOP, SOP8,.25	SOP, SOP8,.25	TSSOP, TSSOP8,.25
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
数据保留时间-最小值	40	40	40	40	40	40	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8
内存密度	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit
内存集成电路类型	EEPROM CARD	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM CARD
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16
端子数量	8	8	8	8	8	8	8
字数	256 words	256 words	256 words	256 words	256 words	256 words	256 words
字数代码	256	256	256	256	256	256	256
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	256X16	256X16	256X16	256X16	256X16	256X16	256X16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP	TSSOP	TSSOP	SOP	SOP	SOP	TSSOP
封装等效代码	TSSOP8,.25	TSSOP8,.25	TSSOP8,.25	SOP8,.25	SOP8,.25	SOP8,.25	TSSOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL
电源	2/5 V	2/5 V	2/5 V	2/5 V	2/5 V	2/5 V	2/5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
串行总线类型	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE
最大待机电流	0.000002 A	0.000002 A	0.000002 A	0.000002 A	0.000002 A	0.000002 A	0.000002 A
最大压摆率	0.0045 mA	0.0045 mA	0.0045 mA	0.0045 mA	0.0045 mA	0.0045 mA	0.0045 mA
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.635 mm	0.635 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.65 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
写保护	SOFTWARE	SOFTWARE	SOFTWARE	SOFTWARE	SOFTWARE	SOFTWARE	SOFTWARE
厂商名称	ROHM(罗姆半导体)	-	ROHM(罗姆半导体)	ROHM(罗姆半导体)	ROHM(罗姆半导体)	ROHM(罗姆半导体)	ROHM(罗姆半导体)
JESD-609代码	e3	e2	e2	-	-	-	e3
端子面层	Matte Tin (Sn)	Tin/Copper (Sn/Cu)	Tin/Copper (Sn/Cu)	-	-	-	Matte Tin (Sn)

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