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934057022127

产品描述Power Field-Effect Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小365KB,共15页
制造商Nexperia
官网地址https://www.nexperia.com
标准
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934057022127概述

Power Field-Effect Transistor

934057022127规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Nexperia
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)68.9 A
最大漏源导通电阻0.0177 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)240 A
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

934057022127相似产品对比

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描述 Power Field-Effect Transistor N-channel TrenchMOS logic level FET DPAK 3-Pin Power Field-Effect Transistor D2PAK 3-Pin Power Field-Effect Transistor Array/Network Resistor, Bussed, Tantalum Nitride/nickel Chrome, 0.1W, 22900ohm, 100V, 0.1% +/-Tol, -300,300ppm/Cel, 8726, Power Field-Effect Transistor
Reach Compliance Code compliant not_compliant compliant compliant not_compliant compliant compliant
端子数量 3 2 2 2 2 16 2
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR PACKAGE RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE DIP SMALL OUTLINE
是否Rohs认证 符合 符合 - - 符合 不符合 符合
厂商名称 Nexperia Nexperia Nexperia Nexperia Nexperia - Nexperia
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 PLASTIC, D2PAK-3 PLASTIC, D2PAK-3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 - PLASTIC, SC-63, DPAK-3
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN - DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V 30 V 30 V 30 V - 30 V
最大漏极电流 (ID) 68.9 A 68.9 A 68.9 A 68.9 A 68.9 A - 68.9 A
最大漏源导通电阻 0.0177 Ω 0.0177 Ω 0.0177 Ω 0.0177 Ω 0.0177 Ω - 0.0177 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-252 - - TO-252 - TO-252
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 - R-PSSO-G2
元件数量 1 1 1 1 1 - 1
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL - N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 240 A 240 A 240 A 240 A 240 A - 240 A
表面贴装 NO YES YES YES YES - YES
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING - GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE - SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON - SILICON
Is Samacsys - N N N N - -
Base Number Matches - 1 1 1 1 - -
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