PHD63NQ03LT,118,PHD63NQ03LT,118 pdf中文资料,PHD63NQ03LT,118引脚图,PHD63NQ03LT,118电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> PHD63NQ03LT,118

PHD63NQ03LT,118: 产品描述N-channel TrenchMOS logic level FET DPAK 3-Pin; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小365KB，共15页; 制造商Nexperia; 官网地址https://www.nexperia.com; 标准

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PHD63NQ03LT,118概述

N-channel TrenchMOS logic level FET DPAK 3-Pin

PHD63NQ03LT,118规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	Nexperia
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Nexperia
零件包装代码	DPAK
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3
制造商包装代码	SOT428
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (ID)	68.9 A
最大漏源导通电阻	0.0177 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-252
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	240 A
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

PHD63NQ03LT,118相似产品对比

	PHD63NQ03LT,118	PHB63NQ03LT	PHB63NQ03LT,118	PHD63NQ03LT	DBP-M998-00-2292-B	934057022127	934057020118
描述	N-channel TrenchMOS logic level FET DPAK 3-Pin	Power Field-Effect Transistor	D2PAK 3-Pin	Power Field-Effect Transistor	Array/Network Resistor, Bussed, Tantalum Nitride/nickel Chrome, 0.1W, 22900ohm, 100V, 0.1% +/-Tol, -300,300ppm/Cel, 8726,	Power Field-Effect Transistor	Power Field-Effect Transistor
Reach Compliance Code	not_compliant	compliant	compliant	not_compliant	compliant	compliant	compliant
端子数量	2	2	2	2	16	3	2
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR PACKAGE	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	DIP	FLANGE MOUNT	SMALL OUTLINE
是否Rohs认证	符合	-	-	符合	不符合	符合	符合
厂商名称	Nexperia	Nexperia	Nexperia	Nexperia	-	Nexperia	Nexperia
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	PLASTIC, D2PAK-3	PLASTIC, D2PAK-3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	-	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	PLASTIC, SC-63, DPAK-3
Is Samacsys	N	N	N	N	-	-	-
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	-	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V	30 V	30 V	30 V	-	30 V	30 V
最大漏极电流 (ID)	68.9 A	68.9 A	68.9 A	68.9 A	-	68.9 A	68.9 A
最大漏源导通电阻	0.0177 Ω	0.0177 Ω	0.0177 Ω	0.0177 Ω	-	0.0177 Ω	0.0177 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-252	-	-	TO-252	-	TO-220AB	TO-252
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	-	R-PSFM-T3	R-PSSO-G2
元件数量	1	1	1	1	-	1	1
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	-	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	-	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	240 A	240 A	240 A	240 A	-	240 A	240 A
表面贴装	YES	YES	YES	YES	-	NO	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	-	THROUGH-HOLE	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	-	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	-	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	-	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1	1	-	-	-

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