PHB63NQ03LT,PHB63NQ03LT pdf中文资料,PHB63NQ03LT引脚图,PHB63NQ03LT电路-Datasheet-电子工程世界

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PHB63NQ03LT: 产品描述Power Field-Effect Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小365KB，共15页; 制造商Nexperia; 官网地址https://www.nexperia.com

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PHB63NQ03LT概述

Power Field-Effect Transistor

PHB63NQ03LT规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Nexperia
包装说明	PLASTIC, D2PAK-3
Reach Compliance Code	compliant
Is Samacsys	N
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (ID)	68.9 A
最大漏源导通电阻	0.0177 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	240 A
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

PHB63NQ03LT相似产品对比

	PHB63NQ03LT	PHD63NQ03LT,118	PHB63NQ03LT,118	PHD63NQ03LT	DBP-M998-00-2292-B	934057022127	934057020118
描述	Power Field-Effect Transistor	N-channel TrenchMOS logic level FET DPAK 3-Pin	D2PAK 3-Pin	Power Field-Effect Transistor	Array/Network Resistor, Bussed, Tantalum Nitride/nickel Chrome, 0.1W, 22900ohm, 100V, 0.1% +/-Tol, -300,300ppm/Cel, 8726,	Power Field-Effect Transistor	Power Field-Effect Transistor
Reach Compliance Code	compliant	not_compliant	compliant	not_compliant	compliant	compliant	compliant
端子数量	2	2	2	2	16	3	2
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR PACKAGE	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	DIP	FLANGE MOUNT	SMALL OUTLINE
厂商名称	Nexperia	Nexperia	Nexperia	Nexperia	-	Nexperia	Nexperia
包装说明	PLASTIC, D2PAK-3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	PLASTIC, D2PAK-3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	-	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	PLASTIC, SC-63, DPAK-3
Is Samacsys	N	N	N	N	-	-	-
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	-	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V	30 V	30 V	30 V	-	30 V	30 V
最大漏极电流 (ID)	68.9 A	68.9 A	68.9 A	68.9 A	-	68.9 A	68.9 A
最大漏源导通电阻	0.0177 Ω	0.0177 Ω	0.0177 Ω	0.0177 Ω	-	0.0177 Ω	0.0177 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	-	R-PSFM-T3	R-PSSO-G2
元件数量	1	1	1	1	-	1	1
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	-	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	240 A	240 A	240 A	240 A	-	240 A	240 A
表面贴装	YES	YES	YES	YES	-	NO	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	-	THROUGH-HOLE	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	-	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	-	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1	1	-	-	-
是否Rohs认证	-	符合	-	符合	不符合	符合	符合
JEDEC-95代码	-	TO-252	-	TO-252	-	TO-220AB	TO-252
峰值回流温度（摄氏度）	-	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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