| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| SN74LVC1G10 | Texas Instruments(德州仪器) | SN74LVC1G10 Single 3-Input Positive-NAND Gate | 下载 |
| SN74LVC1G10_10 | Texas Instruments(德州仪器) | SINGLE 3-INPUT POSITIVE-NAND GATE | 下载 |
| SN74LVC1G10_15 | Texas Instruments(德州仪器) | Single 3-Input Positive-NAND Gate | 下载 |
| SN74LVC1G10DBV | Texas Instruments(德州仪器) | LVC/LCX/Z SERIES, 3-INPUT NAND GATE, PDSO6 | 下载 |
| SN74LVC1G10DBVR | Texas Instruments(德州仪器) | —— | 下载 |
| SN74LVC1G10DBVRE4 | Texas Instruments(德州仪器) | Logic Gates Sgl 3-Inp Pos-NAND Gate | 下载 |
| SN74LVC1G10DCKR | Texas Instruments(德州仪器) | —— | 下载 |
| SN74LVC1G10DCKRE4 | Texas Instruments(德州仪器) | Logic Gates SNGL 3 Input Pos NAND Gate | 下载 |
| SN74LVC1G10DCKRG4 | Texas Instruments(德州仪器) | Single 3-Input Positive-NAND Gate 6-SC70 -40 to 125 | 下载 |
| SN74LVC1G10DRYR | Texas Instruments(德州仪器) | Single 3-Input Positive-NAND Gate 6-SON -40 to 125 | 下载 |
| SN74LVC1G10DSFR | Texas Instruments(德州仪器) | 电源电压:1.65V ~ 5.5V 逻辑电路的归属系列:74LVC 逻辑类型:与非门 电路/元件数:1 输入数/每元件位数:3 静态电流(最大值):10uA 单路 3 输入正与非门 | 下载 |
| SN74LVC1G10YEPR | Texas Instruments(德州仪器) | LVC/LCX/Z SERIES, 3-INPUT NAND GATE, BGA6, DSBGA-6 | 下载 |
| SN74LVC1G10YZPR | Texas Instruments(德州仪器) | 电源电压:1.65V ~ 5.5V 逻辑电路的归属系列:74LVC 逻辑类型:与非门 电路/元件数:1 输入数/每元件位数:3 静态电流(最大值):10uA | 下载 |
| 对应元器件 | pdf文档资料下载 |
|---|---|
| SN74LVC1G10DCKRG4 、 SN74LVC1G10DRYR | 下载文档 |
| SN74LVC1G10DBVR 、 SN74LVC1G10DCKR | 下载文档 |
| SN74LVC1G10DBVRE4 、 SN74LVC1G10DCKRE4 | 下载文档 |
| SN74LVC1G10YZPR | 下载文档 |
| SN74LVC1G10YEPR | 下载文档 |
| SN74LVC1G10DSFR | 下载文档 |
| SN74LVC1G10DBV | 下载文档 |
| SN74LVC1G10 | 下载文档 |
| 型号 | SN74LVC1G10DBVRE4 | SN74LVC1G10DCKRE4 |
|---|---|---|
| 描述 | Logic Gates Sgl 3-Inp Pos-NAND Gate | Logic Gates SNGL 3 Input Pos NAND Gate |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | SOT-23 | SOIC |
| 包装说明 | LSSOP, TSOP6,.11,37 | TSSOP, TSSOP6,.08 |
| 针数 | 6 | 6 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow |
| 系列 | LVC/LCX/Z | LVC/LCX/Z |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码 | e4 | e4 |
| 长度 | 2.9 mm | 2 mm |
| 负载电容(CL) | 50 pF | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE | NAND GATE |
| 最大I(ol) | 0.024 A | 0.024 A |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 输入次数 | 3 | 3 |
| 端子数量 | 6 | 6 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LSSOP | TSSOP |
| 封装等效代码 | TSOP6,.11,37 | TSSOP6,.08 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 包装方法 | TR | TR |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 |
| 电源 | 3.3 V | 3.3 V |
| Prop。Delay @ Nom-Su | 5 ns | 5 ns |
| 传播延迟(tpd) | 18 ns | 18 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO | NO |
| 座面最大高度 | 1.45 mm | 1.1 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.65 V | 1.65 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 0.95 mm | 0.65 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 1.6 mm | 1.25 mm |
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