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SN74LVC1G10DCKR

产品类别逻辑    逻辑   
文件大小2MB,共28页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
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SN74LVC1G10DCKR在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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SN74LVC1G10DCKR规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码SOIC
包装说明TSSOP, TSSOP6,.08
针数6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
Samacsys DescriptionTexas Instruments SN74LVC1G10DCKR, NAND 3 Input NAND, 1.65 → 5.5 V, 6-Pin SC-70
系列LVC/LCX/Z
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e4
长度2 mm
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型NAND GATE
最大I(ol)0.032 A
湿度敏感等级1
功能数量1
输入次数3
端子数量6
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP6,.08
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法TR
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
最大电源电流(ICC)0.01 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup5 ns
传播延迟(tpd)18 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
座面最大高度1.1 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.65 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度1.25 mm

SN74LVC1G10DCKR相似产品对比

SN74LVC1G10DCKR SN74LVC1G10DBVR
描述
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码 SOIC SOT-23
包装说明 TSSOP, TSSOP6,.08 LSSOP, TSOP6,.11,37
针数 6 6
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 1 week 1 week
Samacsys Description Texas Instruments SN74LVC1G10DCKR, NAND 3 Input NAND, 1.65 → 5.5 V, 6-Pin SC-70 Texas Instruments SN74LVC1G10DBVR, NAND 3 Input NAND, 1.65 → 5.5 V, 6-Pin SOT-23
系列 LVC/LCX/Z LVC/LCX/Z
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
JESD-609代码 e4 e4
长度 2 mm 2.9 mm
负载电容(CL) 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 NAND GATE NAND GATE
最大I(ol) 0.032 A 0.032 A
湿度敏感等级 1 1
功能数量 1 1
输入次数 3 3
端子数量 6 6
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSSOP LSSOP
封装等效代码 TSSOP6,.08 TSOP6,.11,37
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法 TR TR
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
电源 3.3 V 3.3 V
最大电源电流(ICC) 0.01 mA 0.01 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup 5 ns 5 ns
传播延迟(tpd) 18 ns 18 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 NO NO
座面最大高度 1.1 mm 1.45 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.65 V 1.65 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm 0.95 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 1.25 mm 1.6 mm
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