Logic Gates SNGL 3 Input Pos NAND Gate
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | TSSOP, TSSOP6,.08 |
| 针数 | 6 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 系列 | LVC/LCX/Z |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 2 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE |
| 最大I（ol） | 0.024 A |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 输入次数 | 3 |
| 端子数量 | 6 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP |
| 封装等效代码 | TSSOP6,.08 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 包装方法 | TR |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 3.3 V |
| Prop。Delay @ Nom-Su | 5 ns |
| 传播延迟（tpd） | 18 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO |
| 座面最大高度 | 1.1 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.65 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 1.25 mm |
| SN74LVC1G10DCKRE4 | SN74LVC1G10DBVRE4 | |
|---|---|---|
| 描述 | Logic Gates SNGL 3 Input Pos NAND Gate | Logic Gates Sgl 3-Inp Pos-NAND Gate |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | SOIC | SOT-23 |
| 包装说明 | TSSOP, TSSOP6,.08 | LSSOP, TSOP6,.11,37 |
| 针数 | 6 | 6 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow |
| 系列 | LVC/LCX/Z | LVC/LCX/Z |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码 | e4 | e4 |
| 长度 | 2 mm | 2.9 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE | NAND GATE |
| 最大I（ol） | 0.024 A | 0.024 A |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 输入次数 | 3 | 3 |
| 端子数量 | 6 | 6 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP | LSSOP |
| 封装等效代码 | TSSOP6,.08 | TSOP6,.11,37 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH |
| 包装方法 | TR | TR |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 |
| 电源 | 3.3 V | 3.3 V |
| Prop。Delay @ Nom-Su | 5 ns | 5 ns |
| 传播延迟（tpd） | 18 ns | 18 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO | NO |
| 座面最大高度 | 1.1 mm | 1.45 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.65 V | 1.65 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm | 0.95 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 1.25 mm | 1.6 mm |
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