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SI4800

eeworld网站中关于SI4800有19个元器件。有SI4800、SI4800等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
SI4800 Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) N-channel enhancement mode field-effect transistor 下载
SI4800 NXP(恩智浦) TRANSISTOR 9 A, 30 V, 0.0185 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA, PLASTIC, SO-8, FET General Purpose Power 下载
SI4800518 NXP(恩智浦) MOSFET TAPE13 MOSFET 下载
SI4800,518 NXP(恩智浦) SI4800 下载
SI4800BD_V01 Vishay(威世) N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET 下载
SI4800BDY Vishay(威世) 6500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 下载
SI4800BDY_17 Vishay(威世) N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET 下载
SI4800BDY-E3 Vishay(威世) Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8 下载
SI4800BDY-T1 Vishay(威世) 6500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 下载
SI4800BDY-T1-E3 台湾微碧(VBsemi) N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 下载
SI4800BDY-T1-E3 Vishay(威世) MOSFET 30V 9A 2.5W 下载
SI4800BDY-T1-GE3 Vishay(威世) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A 栅源极阈值电压:1.8V @ 250uA 漏源导通电阻:18.5mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.3W 类型:N沟道 N沟道,30V,9A,18.5mΩ@10V 下载
SI4800BDY_V01 Vishay(威世) N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET 下载
SI4800DY Vishay(威世) MOSFET 30V 9A 2.5W 下载
SI4800DY-E3 Vishay(威世) MOSFET 30V 9A 2.5W 下载
SI4800DY-T1 Vishay(威世) Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET 下载
SI4800DY-T1-E3 Vishay(威世) MOSFET 30V 9A 2.5W 下载
SI4800DY-T1-E3 台湾微碧(VBsemi) N-Channel 20V (D-S) MOSFET 下载
SI4800/T3 NXP(恩智浦) TRANSISTOR 9 A, 30 V, 0.0185 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA, PLASTIC, SO-8, FET General Purpose Power 下载
关于SI4800相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
SI4800,518 、 SI4800/T3 、 SI4800518 下载文档
SI4800DY 、 SI4800DY-E3 下载文档
SI4800BDY-T1-GE3 下载文档
SI4800DY-T1 下载文档
SI4800BDY-T1-E3 下载文档
SI4800DY-T1-E3 下载文档
SI4800BDY-T1 下载文档
SI4800 下载文档
SI4800BDY 下载文档
SI4800BDY-E3 下载文档
SI4800资料比对:
型号 SI4800/T3 SI4800,518 SI4800518
描述 TRANSISTOR 9 A, 30 V, 0.0185 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA, PLASTIC, SO-8, FET General Purpose Power SI4800 MOSFET TAPE13 MOSFET
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) -
零件包装代码 SOIC SOIC -
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 -
针数 8 8 -
Reach Compliance Code unknown unknown -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE -
最小漏源击穿电压 30 V 30 V -
最大漏极电流 (ID) 9 A 9 A -
最大漏源导通电阻 0.0185 Ω 0.0185 Ω -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR -
JEDEC-95代码 MS-012AA MS-012AA -
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 -
JESD-609代码 e4 e4 -
元件数量 1 1 -
端子数量 8 8 -
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL -
最大脉冲漏极电流 (IDM) 40 A 40 A -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 YES YES -
端子面层 NICKEL PALLADIUM GOLD NICKEL PALLADIUM GOLD -
端子形式 GULL WING GULL WING -
端子位置 DUAL DUAL -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -
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