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IRFP9

eeworld网站中关于IRFP9有130个元器件。有IRFP90N20D、IRFP90N20D等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
IRFP90N20D International Rectifier ( Infineon ) Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.023ohm, Id=94A) 下载
IRFP90N20D ISC N-Channel MOSFET Transistor 下载
IRFP90N20DPBF Infineon(英飞凌) Single Board Computers BL2600 Wolf 下载
IRFP90N20DPBF International Rectifier ( Infineon ) 90 A, 200 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC 下载
IRFP90N20DPBF IR 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):94A 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:23mΩ @ 56A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):580W 类型:N沟道 N沟道,200V,94A,23mΩ@10V 下载
IRFP90N20DPBF_15 International Rectifier ( Infineon ) High frequency DC-DC converters 下载
IRFP9113 Thomson Consumer Electronics Transistor 下载
IRFP9120 ISC isc N-Channel MOSFET Transistor 下载
IRFP9121 ISC isc N-Channel MOSFET Transistor 下载
IRFP9122 ISC isc N-Channel MOSFET Transistor 下载
IRFP9123 ISC isc N-Channel MOSFET Transistor 下载
IRFP9130 SAMSUNG(三星) 12 A, 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
IRFP9131 ISC isc N-Channel MOSFET Transistor 下载
IRFP9131 SAMSUNG(三星) 12 A, 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
IRFP9132 ISC isc N-Channel MOSFET Transistor 下载
IRFP9132 SAMSUNG(三星) 12 A, 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
IRFP9133 ISC isc N-Channel MOSFET Transistor 下载
IRFP9133 SAMSUNG(三星) 12 A, 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
IRFP9140 ISC isc N-Channel MOSFET Transistor 下载
IRFP9140 SAMSUNG(三星) 19 A, 100 V, 0.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 下载
IRFP9140 Intersil ( Renesas ) 19 A, 100 V, 0.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 下载
IRFP9140 Vishay(威世) MOSFET P-Chan 100V 21 Amp 下载
IRFP9140 Rochester Electronics 19A, 100V, 0.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 下载
IRFP9140 Fairchild Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 下载
IRFP9140 Thomson Consumer Electronics Transistor 下载
IRFP9140 Harris Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 下载
IRFP9140 International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC 下载
IRFP9140 Renesas(瑞萨电子) 19A, 100V, 0.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 下载
IRFP9140N Infineon(英飞凌) MOSFET P-CH 100V 23A TO-247AC 下载
IRFP9140N International Rectifier ( Infineon ) Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A) 下载
关于IRFP9相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
IRFP9141 、 IRFP9141PBF 、 IRFP9141PBF 、 IRFP9143 、 IRFP9143PBF 、 IRFP9143PBF 、 IRFP9242 下载文档
IRFP9141 、 IRFP9141 、 IRFP9142 、 IRFP9142 、 IRFP9143 、 IRFP9143 下载文档
IRFP9240 、 IRFP9241 、 IRFP9241 、 IRFP9242 、 IRFP9242 下载文档
IRFP9141 、 IRFP9142 、 IRFP9143 、 IRFP9241 、 IRFP9242 下载文档
IRFP9140 、 IRFP9142 、 IRFP9143 、 IRFP9240 、 IRFP9242 下载文档
IRFP9140R 、 IRFP9141R 、 IRFP9142R 、 IRFP9143R 下载文档
IRFP9130 、 IRFP9131 、 IRFP9132 、 IRFP9133 下载文档
IRFP9240 、 IRFP9241 、 IRFP9242 下载文档
IRFP9240 、 IRFP9241 、 IRFP9242 下载文档
IRFP9140 、 IRFP9141 、 IRFP9143 下载文档
IRFP9资料比对:
型号 IRFP9141 IRFP9141PBF IRFP9141PBF IRFP9143 IRFP9143PBF IRFP9143PBF IRFP9242
描述 Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 80V, 2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 80V, 2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC 19A, 80V, 2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 80V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 80V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC 16A, 80V, 3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 200V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC,
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 不符合 符合 符合 不符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) International Rectifier ( Infineon ) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) International Rectifier ( Infineon ) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code unknown compliant compliant unknown compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V 200 V
最大漏极电流 (ID) 19 A 19 A 19 A 16 A 16 A 16 A 10 A
最大漏源导通电阻 2 Ω 2 Ω 2 Ω 3 Ω 3 Ω 3 Ω 0.7 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 250 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 250 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 76 A 76 A 76 A 64 A 64 A 64 A 40 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
端子面层 Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier MATTE TIN OVER NICKEL Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier MATTE TIN OVER NICKEL Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
最大漏极电流 (Abs) (ID) 19 A - 19 A 16 A - 16 A 10 A
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C - 150 °C 150 °C
最大功率耗散 (Abs) 150 W - 150 W 150 W - 150 W 150 W
包装说明 - FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 - FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
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