IRFP9131概述

12 A, 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

12 A, 100 V, 0.3 ohm, P沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB

IRFP9131规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	TO-3P
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	2
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	550 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	12 A
最大漏极电流 (ID)	12 A
最大漏源导通电阻	0.3 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	P-CHANNEL
功耗环境最大值	75 W
最大功率耗散 (Abs)	75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	48 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	280 ns
最大开启时间（吨）	200 ns

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

IRFP9131相似产品对比

	IRFP9131	IRF9530	IRFP9130	IRFP9132	IRFP9133
描述	12 A, 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	12 A, 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	12 A, 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	12 A, 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	12 A, 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	TO-3P	SFM	TO-3P	TO-3P	TO-3P
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	2	3	2	2	2
Reach Compliance Code	unknow	unknown	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	550 mJ	550 mJ	550 mJ	550 mJ	550 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V	100 V	100 V	100 V	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	12 A	12 A	12 A	10 A	10 A
最大漏极电流 (ID)	12 A	12 A	12 A	10 A	10 A
最大漏源导通电阻	0.3 Ω	0.3 Ω	0.3 Ω	0.4 Ω	0.4 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL
功耗环境最大值	75 W	75 W	75 W	75 W	75 W
最大功率耗散 (Abs)	75 W	88 W	75 W	75 W	75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	48 A	48 A	48 A	40 A	40 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	280 ns	280 ns	280 ns	280 ns	280 ns
最大开启时间（吨）	200 ns	200 ns	200 ns	200 ns	200 ns

推荐资源

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多