| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| HGTG20N60A4 | Fairchild | 70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 | 下载 |
| HGTG20N60A4 | Intersil ( Renesas ) | 70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 | 下载 |
| HGTG20N60A4 | ON Semiconductor(安森美) | —— | 下载 |
| HGTG20N60A4 | Renesas(瑞萨电子) | 70A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 | 下载 |
| HGTG20N60A4D | Fairchild | EEPROM 2 Mbit serial I2C 1.8V to 5.5V EEPROM | 下载 |
| HGTG20N60A4D | Intersil ( Renesas ) | 70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 | 下载 |
| HGTG20N60A4D | ON Semiconductor(安森美) | —— | 下载 |
| HGTG20N60A4D | Renesas(瑞萨电子) | 70A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 | 下载 |
| HGTG20N60A4D | Rochester Electronics | 70A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247, TO-247, 3 PIN | 下载 |
| HGTG20N60A4D_09 | Fairchild | 70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 | 下载 |
| HGTG20N60A4D_NL | Fairchild | Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, LEAD FREE PACKAGE-3 | 下载 |
| HGTG20N60A4_NL | Fairchild | Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 PIN | 下载 |
| 对应元器件 | pdf文档资料下载 |
|---|---|
| HGTG20N60A4 、 HGTG20N60A4D | 下载文档 |
| HGTG20N60A4D | 下载文档 |
| HGTG20N60A4D | 下载文档 |
| HGTG20N60A4D_09 | 下载文档 |
| HGTG20N60A4D | 下载文档 |
| HGTG20N60A4D_NL | 下载文档 |
| HGTG20N60A4D | 下载文档 |
| HGTG20N60A4 | 下载文档 |
| HGTG20N60A4 | 下载文档 |
| HGTG20N60A4_NL | 下载文档 |
| 型号 | HGTG20N60A4 | HGTG20N60A4D |
|---|---|---|
| 描述 | 70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 | 70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 额定关断时间 | 160 ns | 160 ns |
| 最大集电极电流 | 70 A | 70 A |
| 最大集电极发射极电压 | 600 V | 600 V |
| 加工封装描述 | TO-247, 3 PIN | TO-247, 3 PIN |
| 无铅 | Yes | Yes |
| 状态 | ACTIVE | ACTIVE |
| 包装形状 | RECTANGULAR | 矩形的 |
| 包装尺寸 | FLANGE MOUNT | 凸缘安装 |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-孔 |
| 端子涂层 | MATTE TIN | MATTE 锡 |
| 端子位置 | SINGLE | 单一的 |
| 包装材料 | PLASTIC/EPOXY | 塑料/环氧树脂 |
| 结构 | SINGLE | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 |
| 壳体连接 | COLLECTOR | COLLECTOR |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL | POWER 控制 |
| 晶体管元件材料 | SILICON | 硅 |
| 通道类型 | N-CHANNEL | N沟道 |
| 晶体管类型 | INSULATED GATE BIPOLAR | INSULATED GATE BIPOLAR |
| 额定导通时间 | 28 ns | 28 ns |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved