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HGTG20N60A4

产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小351KB,共11页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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HGTG20N60A4在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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HGTG20N60A4规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
制造商包装代码340CK
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
其他特性LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)70 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE
最大降落时间(tf)73 ns
门极发射器阈值电压最大值7 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-247
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)290 W
认证状态Not Qualified
最大上升时间(tr)18 ns
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)160 ns
标称接通时间 (ton)28 ns
Base Number Matches1

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