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HGTG20N60A4

产品描述70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小351KB,共9页
制造商Intersil ( Renesas )
官网地址http://www.intersil.com/cda/home/
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HGTG20N60A4在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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HGTG20N60A4概述

70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247

70 A, 600 V, N沟道 IGBT, TO-247

HGTG20N60A4规格参数

参数名称属性值
端子数量3
额定关断时间160 ns
最大集电极电流70 A
最大集电极发射极电压600 V
加工封装描述TO-247, 3 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸FLANGE MOUNT
端子形式THROUGH-HOLE
端子涂层MATTE TIN
端子位置SINGLE
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE
壳体连接COLLECTOR
元件数量1
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
通道类型N-CHANNEL
晶体管类型INSULATED GATE BIPOLAR
额定导通时间28 ns

HGTG20N60A4相似产品对比

HGTG20N60A4 HGTG20N60A4D
描述 70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
端子数量 3 3
额定关断时间 160 ns 160 ns
最大集电极电流 70 A 70 A
最大集电极发射极电压 600 V 600 V
加工封装描述 TO-247, 3 PIN TO-247, 3 PIN
无铅 Yes Yes
状态 ACTIVE ACTIVE
包装形状 RECTANGULAR 矩形的
包装尺寸 FLANGE MOUNT 凸缘安装
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-孔
端子涂层 MATTE TIN MATTE 锡
端子位置 SINGLE 单一的
包装材料 PLASTIC/EPOXY 塑料/环氧树脂
结构 SINGLE 单一的 WITH BUILT-IN 二极管
壳体连接 COLLECTOR COLLECTOR
元件数量 1 1
晶体管应用 POWER CONTROL POWER 控制
晶体管元件材料 SILICON
通道类型 N-CHANNEL N沟道
晶体管类型 INSULATED GATE BIPOLAR INSULATED GATE BIPOLAR
额定导通时间 28 ns 28 ns
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