| 参数名称 | 属性值 |
| 类别 | 分立半导体;晶体管 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | OptiMOS™ 6 |
| 包装 | 卷带（TR）剪切带（CT） |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 25A（Ta），40A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.1 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 31 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2700 pF @ 20 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），83W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TSDSON-8-FL |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 基本产品编号 | BSZ021 |
| 型号 | 制造商 | 类别 | 描述 | 文档 |
|---|---|---|---|---|
| IPLK70R1K4P7ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 700 V CoolMOS™ P7 超结 MOSFET，采用 ThinPAK 5x6 封装 | 下载 |
| IAUC100N08S5N031ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 80 V 100A（Tc） 167W（Tc） PG-TDSON-8-34 | 下载 |
| CAB011M12FM3 | Wolfspeed (Cree) | 分立半导体;晶体管 | MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 105A 10mW 底座安装 - | 下载 |
| IPW60R024CFD7XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 通孔 N 通道 650 V 77A（Tc） 320W（Tc） PG-TO247-3-41 | 下载 |
| STF16N90K5 | ST(意法半导体) | 分立半导体;晶体管 | 通孔 N 通道 900 V 15A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP | 下载 |
| BSC034N10LS5ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 100 V 19A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），156W（Tc） PG-TDSON-8-7 | 下载 |
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